半导体芯片封装用导电胶性能要求及测试方法(征求意见稿).docx

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半导体芯片封装用导电胶性能要求及测试方法

1范围

本文件规定了半导体芯片封装用导电胶（以下简称“导电胶”）性能要求及各项性能的测试方法。本标准适用于在有机聚合物中添加以银为导电填料粒子的半导体芯片封装用导电胶的测试及验收。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T1034吸湿率测试方法

GB/T2794-2022胶黏剂粘度的测定

GB/T2943胶黏剂术语

GB4472密度的测试方法

GB/T4937晶片抗切强度的测试方法GB/T20740胶粘剂取样

GB/T20967无损检测目视检测总则GB/T24148体积收缩率

GB/T27761热失重的测试方法

GB/T33061拉伸模量的测定方法

GB/T35494.1各向同性导电胶粘剂试验方法第1部分：通用方法HG/T5912-2021导电胶粘剂

QJ1523电阻率测试方法

CNS13727体积电阻率测试方法

IS011359热膨胀系数的测定方法

ASTMD7028ASTMD418DASTM-E1461

玻璃化转变温度测试方法

融与结晶温度及热焓的测试方法导热的测试方法

3术语和定义

GB/T2943界定的术语和定义适用于本文件。

3.1

导电胶粘剂electricconductiveadhesive

具有导电性能的胶粘剂。这种胶粘剂一般含有银、铜、石墨等导电粉末。[来源：GB/T2943-2018,4.36]

3.2

导热系数thermalconductivity

单位时间内在单位温度梯度下沿热流方向通过材料单位面积传递的热量。用W/（m·K）表示。

3.3

玻璃化转变glasstransition

指无定形聚合物、半结晶聚合物中的非晶区的玻璃态与高弹态之间的可逆性转变。[来源：GB/T2943-2008,8.7]

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3.4

玻璃化转变温度glasstransitiontemperature由玻璃态转变为高弹态所对应的温度，用Tg表示。

3.5

固化时间curingtime；curetime

在一定的温度、压力等条件下，装配件中胶黏剂达到规定性能所需的时间。[来源：GB/T2943-2008,5.23]

3.6

剪切强度shearstrength

在平行于胶层的载荷作用下,胶接试祥破坏时,单位胶接面所承受的剪切力。用MPa表示。[来源：GB/T2943-2008,8.18]

3.7

触变指数

流体在剪切力的作用下结构被破坏后恢复原有结构的能力的好坏,用rpm表示[来源：GB/T13477]

4缩略语

RBOResinbleedingout树脂析出

5要求

5.1基本要求

导电胶为粘稠流体或膏体，外观均匀，无杂质。

5.2性能要求

5.2.1粘度

半导体芯片封装用导电胶粘度宜为6pas~15pas，具体粘度应满足半导体芯片封装工艺要求。

5.2.2触变指数

半导体芯片封装用导电胶触变指数宜为4rpm~6rpm，具体触变指数应满足半导体芯片封装工艺要求。

5.2.3玻璃化转变温度Tg

半导体芯片封装用导电胶的玻璃化转变温度Tg选择取决于具体的封装工艺需求，应满足应用端的封装要求。

5.2.4热膨胀系数

封装导电胶在低于玻璃化转变温度Tg时，其热膨胀系数CTE1应不大于80ppm/℃;在高于玻璃化转变温度Tg时，其热膨胀系数CTE2应为不大于220ppm/℃。

5.2.5导热系数

根据封装导电胶具体应用需求，各类型导电胶导热系数性能要求如下：

a)普通封装导电胶导热系数应在0W~10W/（m·K）范围内；

b)高导热封装导电胶导热系数应在10W~80W/（m·K）范围内；

c)半烧结型导电胶导热系数应大于80W/（m·K）。

5.2.6拉伸模量

在常温下，半导体芯片封装用导电胶模量应在1000N/mm2~5000N/mm2范围内；在250℃时，半导体芯片封装用导电胶模量应在100N/mm2~400N/mm2范围内

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5.2.7失重率

半导体芯片封装用导电胶失重性能应满足应用要求。

5.2.8RBO

半导体芯片封装用导电胶的RBO应满足应用端需求，以不进入引线键合区为宜。

5.2.9体积电阻率

半导体芯片封装用导电