2023第三代半导体产业发展报告.pdf

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前言

伴随半导体产业逐渐复苏，以及电动汽车、新能源、消费类电子、

5G通信等应用市场的需求带动，2023年第三代半导体产业保持高速

增长态势。

2023年，国际上以龙头企业为代表，不断开发领先技术、加快迭

代新产品、持续扩张产能、强化供应链合作，并通过整合并购等策略，

逐步建立起相对明朗的竞争格局。市场方面，2023年全球碳化硅

（SiC）、氮化镓（GaN）功率电子市场规模约30.7亿美元，电动和

混合动力汽车（EV/HEV）市场占比约70%，是核心市场驱动力。射

频电子（GaNRF）市场规模约为15亿美元，其中电信基础设施是第

一大应用市场，占比超过50%。供给方面，SiC功率电子投资热情持

续，2023年全球新增投资约260亿美元。射频电子因5G通信基础设

施建设进程放缓，产能产线趋于稳定。LED光电子领域仍以

Mini/Micro-LED为主要投资和扩产方向。龙头企业通过供应链合作、

整合并购，建立“SiC+GaN”双业务引擎。企业格局方面，SiC衬底环

节，Wolfspeed、Coherent市场占比全球领先；功率电子器件环节ST、

Infineon、Onsemi、Wolfspeed、Rohm等五大家，市场总占比达到82%，

行业头部格局确立。射频电子领域，Sumitomo、Qorvo、Macom（收

购Wolfspeed射频业务）、NXP、RFHIC等全球领先，五大家市场总

占比达到71%。技术进展方面，8英寸SiC衬底、外延加快开发；液

相法晶体生长技术、复合衬底技术、激光切割技术等促进成本降低；

I

除全SiC模块之外，SiCMOSFET和SiIGBT的融合模块设计受到关

注；基于GaN衬底的极性超结GaNFET耐压达到万伏；发布集成双

GaN开关管的AHB半桥芯片；3D堆叠技术为制备12英寸GaN-on-

Si晶圆提供新路径。开发出基于SiC和蓝宝石衬底的N-face结构W

波段的射频器件；推出基于8英寸技术的GaN-on-Si功率放大器。

国内来看，2023年第三代半导体技术和产业化加快发展。市场

方面，SiC和GaN功率电子器件模块市场约153.2亿元，同比增长

45%，国产产品主要以光伏逆变、消费电子应用为主，电动汽车主逆

变器市场开始逐步渗透。射频电子（GaNRF）器件模块市场约102.9

亿元，同比增长16.2%。LED器件市场782.2亿元，同比微增0.5%。

供给方面，功率电子生产活跃，射频电子趋于稳定，LED光电子领域

除Mini/Micro-LED外，其他方向缓慢复苏。2023年国内SiC衬底产

量75万片、外延产量65万片、芯片器件产量40万片（以上均折合

6英寸）；资本市场持续活跃，投融资热情仍然高涨，新增SiC投资

增长44%，金额超千亿，多家企业完成或正在IPO。企业格局方面，

功率电子领域，头部企业优势愈发凸显，竞争梯队逐步形成；射频电

子领域格局相对稳定，产品国产化率超30%；LED行业进入成熟期，

竞争格局确定。产业化技术方面，SiC8英寸衬底基本完成验证，开

始小批量供货；国产SiCMOSFET新品同比翻倍增加，新能源汽车主

驱开始验证应用；推出4引脚TO-247-4LGaN功率器件；推出开关

频率MHZ1000wGaN功率模块电源。开发出Si基GaN低压射频器

件，拓展手机终端应用可能；推出0.25μm和0.15μmGaNMMIC代

II

工业务。LED无荧光粉照明实现了整灯光效100lm/W；Micro-LED红

光芯片效率达到15%（20*40μm@20uA）；量产UVCLED芯片电光

转化效率超过5%。