NCE3420X深圳恒锐丰科技.pdf

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2024-11-01 发布于广东
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NCE3420X

NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description

TheNCE3420Xusesadvancedtrenchtechnologytoprovide

excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgateG

voltagesaslowas1.8V.Thisdeviceissuitableforuseasa

uni-directionalorbi-directionalloadswitch.

GeneralFeatures

Schematicdiagram

●V=20V,I=6A

DSD

RDS(ON)45mΩ@VGS=2.5V

RDS(ON)33mΩ@VGS=4.5V

●HighPowerandcurrenthandingcapability

●SurfaceMountPackage

●Pbfreeterminalplating

Markingandpinassignment

●RoHScompliant

●Halogenfree

Application

●Uni-directionalLoadswitch

●Bi-directionalLoadswitch

SOT-23topview

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

3420XḂNCE3420XSOT-23Ø180mm8mm3000units

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

ParameterSymbolLimitUnit

Drain-SourceVoltageVDS20V

Gate-SourceVoltageVGS±12

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