NCE55H12深圳恒锐丰科技.pdf

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PbFreeProduct

NCE55H12

NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description

TheNCE55H12usesadvancedtrenchtechnologyand

designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It

canbeusedinawidevarietyofapplications.

GeneralFeatures

●V=55V,I=120A

DSD

RDS(ON)5.5mΩ@VGS=10V(Typ:4.1mΩ)Schematicdiagram

●HighdensitycelldesignforultralowRdson

●Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent

●GoodstabilityanduniformitywithhighEAS

●Excellentpackageforgoodheatdissipation

●SpecialprocesstechnologyforhighESDcapability

Application

●Powerswitchingapplication

●HardswitchedandhighfrequencycircuitsMarkingandpinassignment

●Uninterruptiblepowersupply

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100%∆VdsTESTED!

TO-220-3Ltopview

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

NCE55H12NCE55H12TO-220-3L---

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

A

ParameterSymbolLimitUnit

Drain-SourceVoltageVDS55V

Gate-SourceVoltageVGS±20V

DrainCurrent-Continu

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