NCE30H10K深圳恒锐丰科技.pdf

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NCE30H10K

NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description

TheNCE30H10Kusesadvancedtrenchtechnologyand

designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It

canbeusedinawidevarietyofapplications.

GeneralFeatures

●V30V,I100A

DSD

RDS(ON)5.5mΩ@VGS10V(Typ:4mΩ)

RDS(ON)6.0mΩ@VGS4.5V(Typ:4.2mΩ)Schematicdiagram

●HighdensitycelldesignforultralowRdson

●Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent

●GoodstabilityanduniformitywithhighEAS

●Excellentpackageforgoodheatdissipation

●SpecialprocesstechnologyforhighESDcapability

Application

●Powerswitchingapplication

●HardswitchedandhighfrequencycircuitsMarkingandpinassignment

●Uninterruptiblepowersupply

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100%ΔVdsTESTED!

TO-252-2Ltopview

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

NCE30H10KNCE30H10KTO-252-2L---

AbsoluteMaximumRatings(T25℃unlessotherwisenoted)

A

ParameterSymbolLimitUnit

Drain-SourceVoltageVDS30V

Gate-SourceVoltageVGS±20V

DrainCurrent-ContinuousID100A

DrainCurrent-Continu

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