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摘要
摘要
光电探测器是光纤通信领域的重要组成部分，随着通信技术的发展，爆炸式
增长的数据传输量对光电探测器的高速性能提出了越来越苛刻的要求，与InP晶
nm和1550
格匹配的三元材料InGaAs，是用于1310mn两个光纤通信窗口的重
要光电探测器材料。相较于面入射，倏逝耦合波导型光电探测器因其耦合效率高，
得到了越来越高的重视，本文对集成楔形模斑转换器的I
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