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PbFreeProduct
NCE6080AT
NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET
Description
TheNCE6080ATusesadvancedtrenchtechnologyand
designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It
canbeusedinawidevarietyofapplications.
GeneralFeatures
●V60V,I80A
DSD
RDS(ON)5.5mΩ(typical)@VGS10V
RDS(ON)6.5mΩ(typical)@VGS4.5V
●HighdensitycelldesignforultralowRdsonSchematicdiagram
●Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent
●GoodstabilityanduniformitywithhighEAS
●Excellentpackageforgoodheatdissipation
Application
●PWM
●LoadSwitching
100%UISTESTED!TO-247topview
100%ΔVdsTESTED!
PackageMarkingandOrderingInformation
DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity
NCE6080ATNCE6080ATTO-247---
AbsoluteMaximumRatings(T25unlessotherwisenoted)
C℃
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Drain-SourceVoltageVDS60V
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DrainCurrent-Continuous(T100℃)I(100℃)56.5A
C
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