NCE6080K深圳恒锐丰科技.pdf

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NCE6080K

NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description

TheNCE6080Kusesadvancedtrenchtechnologyand

designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It

canbeusedinawidevarietyofapplications.

GeneralFeatures

●V60V,I80A

DSD

RDS(ON)7mΩ@VGS10VSchematicdiagram

●HighdensitycelldesignforultralowRdson

●Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent

●GoodstabilityanduniformitywithhighEAS

●Excellentpackageforgoodheatdissipation

Application

●PWM

●LoadSwitchingMarkingandpinassignment

100%UISTESTED!

100%ΔVdsTESTED!

TO-252-2Ltopview

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

NCE6080KNCE6080KTO-252-2L---

AbsoluteMaximumRatings(T25unlessotherwisenoted)

C℃

ParameterSymbolLimitUnit

Drain-SourceVoltageVDS60V

Gate-SourceVoltageVGS±20V

DrainCurrent-ContinuousID80A

DrainCurrent-Continuous(T100℃)I(100℃)56.5A

CD

Pulsed

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