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带隙基准电路的设计
摘要：随着电子信息产业的蓬勃发展，集成电路在各领域的应用也越来越广泛，近年来，硅漂移探测器读出电路的普遍应用，对于芯片的性能也提出了更高的要求。带隙基准作为硅探测器读出电子系统的一个重要子模块，可为系统提供精准的参考电压以及较准的偏置电流，带隙基准的性能将直接影响系统的整体性能。需要设计低温漂、高电源电压抑制比的基准电压源才能满足读出电子系统低噪读出的要求。本文主要工作就是对带隙基准电压源的工作原理进行分析，并且基于Globalfoundry180nm工艺设计出一款在-40℃~120℃温度范围内进行工作时，温度系数为9.1ppm/℃，低频工作
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