稀土Eu掺杂半导体的研究进展.docx

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摘要

作为一种宽带隙半导体材料，In2O3具有高可见光透过率、高红外反射率、较强蓝光发射等光学性质。稀土Eu中的Eu3+离子，其辐射的光谱波长范围能够覆盖可见光中红色到紫色的光谱区。研究表明，稀土掺杂半导体可以降低导带的位置，减小带隙，引入新的能级或缺陷，从而影响光催化效率。因此，用Eu3+离子掺杂In2O3有望得到发光性能更优良的发光器件。

本文拟采用化学气相沉积法，拟在常温下制备Eu3+离子掺杂的In2O3材料，拟利用拉曼（Raman）光谱仪对Eu3+离子掺杂的In2O3（In2O3:Eu）材料进行掺杂结构和掺杂效果的分析，拟利用光致发光（PL）光谱