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二极管扩散片研发规范
1范围
本标准规定了二极管扩散片的产品分类及型号和研发程序等内容。本标准适用于二极管扩散片产品的设计、开发及生产。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T14140硅片直径测量方法
GB/T6620硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法SJ11471发光二极管外延片测试方法
3术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。3.1
二极管扩散片diodediffusers
二极管产品的半成品，是单晶硅经过扩散工艺后就形成了二极管扩散片。其经过后续再加工形成二极管芯片，经过封装形成二极管成品。
4产品分类及型号
4.1产品分类
二极管扩散片按反向恢复时间，可分为超快恢复系列、高效系列、快恢复系列和普通系列。
4.2产品型号
二极管扩散片产品型号如表1所示。
表1产品型号
产品分类
型号
超快恢复系列
SF4
SF6
SF8
2
高效系列
HER4
HER6
HER8
快恢复系列
FR4
FR7
FR9
普通系列
STD
5研发程序
5.1开发策划
5.1.1组织产品设计研发前，应充分考虑设计研发持续时间和复杂程度。
5.1.2应分析产品的市场需求情况，产品应能够获得良好的经济效益。
5.1.3产品质量和价格应满足客户需求，达到客户标准。
5.1.4产品应便于生产、验收和控制。
5.2产品设计
5.2.1常规参数计算
二极管扩散片常规参数包括：反向恢复时间Trr，反向击穿电压VR，正向导通压降VF。PN结结构计算参数包括：扩散片厚度，磷结深、硼结深、基区。
5.2.2原材料（原硅片）选型
根据PN结结构数据设计：原硅片电阻率、电阻率均匀性、厚度、硅片掺杂类型。
5.3产品试制
新产品试制阶段分为样品试制阶段、小批量试制阶段、中批量试制阶段和大批量试制阶段：
a)样品试制阶段：根据设计参数进行产品样品试制，对产品的可行性和可操作性进行验证。普通系列(STD)可试制20片，超快恢复系列（SF）、高效系列（HER）和快恢复系列（FR）可试制
30片；
b)小批量试制阶段：对产品的设计结构及质量进行验证，使产品设计基本定型。小批量可试制
100片；
c)中批量试制阶段：验证产品工艺是否能保证，审查产品主要工艺存在的问题。中批量可试制1500-2000片；
d)大批量试制阶段：从技术、经济等方面对新产品作出全面评价，得出全面定型结论，投入正式生产。大批量可试制2000-10000片。
5.4产品检验
5.4.1温度条件
应在23-26℃条件下进行检验。
5.4.2二极管扩散片几何参数
3
5.4.2.1直径
按GB/T14140的规定进行测量。
5.4.2.2翘曲度
按GB/T6620的规定进行测量。
5.4.3二极管扩散片外观要求
5.4.3.1花纹、颜色
采用肉眼观察，花纹应分布均匀，颜色一致性好。
5.4.3.2沾污及刮伤、划痕
按GB/T6624的规定对二极管扩散片表面的沾污及刮伤、划痕进行检验。
5.4.3.3坑洞、颗粒
按SJ11471的规定进行检验。
5.4.4二极管扩散片结构、性能参数
二极管扩散片的结构、性能参数应符合表2的规定。
表2结构、性能参数
参数
min
max
单位
影响参数
测试方式
原硅片
电阻率
X
X
Ω?cm
反向击穿电压
四探针测试仪
电阻率均匀性
X
X
%
反向击穿电压均匀性
四探针测试仪
厚度
X
X
μm
千分尺
少子寿命
X
X
ns
反向恢复时间和反向漏电
磷预扩散
磷结深
X
X
μm
显微镜
面阻
X
X
-
-
四探针测试仪
外观
外观差异表征浓度分布
-
肉眼观察
硼扩散
磷结深
X
X
μm
正向导通压降
显微镜
磷面阻
X
X
四探针测试仪
硼结深
X
X
μm
显微镜
硼面阻
X
X
-
-
四探针测试仪
基区
X
X
-
反向击穿电压
显微镜
外观
外观差异表征浓度分布
-
肉眼观察
铂扩散
反向恢复时间（Trr）
X
X
ns
反向恢复时间测试仪
正向导通电压（Vf）
X
X
V
正向压降测试仪
注：“X”代表具体数值。
5.5生产投产
应做好生产计划、劳动组织、物资供应、设备管理等系列工作。
4
5.6持续改进
5.6.1根据产品应用情况进一步调整产品的技术参数，以满足更多客户要求。
5.6.2应与客户沟通以了解客
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