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第7章磁电式传感器
一、单项选择题
1、下列不属于霍尔元件基本特性参数的（）。
A.控制极内阻B.不等位电阻
C.寄生直流电动势D.零点残余电压
2、制造霍尔元件的半导体材料中，目前用的较多的错、锦化锢、碑化锢，其原因这些
（）＜,
A.半导体材料的霍尔常数比金属的大
B.半导体中电子迁移率比空穴高
C.半导体材料的电子迁移率比较大
D.N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件
3、磁电式传感器测量电路中引入积分电路为了测量（）o
A.位移B.速度
C.加速度D.光强
4、为了提高磁电式加速度传感器的频响范围，一般通过下面哪个措施来实现（）o
A.减小弹簧片的刚度B.增加磁铁的质量
C.减小系统的阻尼力D.提高磁感应强度
5、磁电式传感器测量电路中引入微分电路为了测量（）
A.位移B.速度
C.加速度D.光强
6、霍尔电势与（）成反比
A.激励电流B.磁感应强度
C.霍尔器件宽度D.霍尔器件长度
7、霍尔元件不等位电势产生的主要原因不包括（）
A.霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位上
B.半导体材料不均匀造成电阻率不均匀或几何尺寸不均匀
C.周围环境温度变化
D.激励电极接触不良造成激励电流不均匀分配
二、多项选择题
1、磁电作用主要分为（）。
A、电磁感应B、霍尔效应C、开磁路D、闭磁路
2、恒磁通磁电感应式传感器的结构可分为（）。
A、开磁路B、闭磁路C、动圈式D、动铁式
3、磁电感应式传感器可测量的物理量包括（）。
A、转谏B、振动C、位移D、扭矩
4、霍尔元件的类别特性可分为（）。
A、负载特性B、开关特性C、温度特性D、线性特性
5、霍尔式传感器可用于测量（）。
A、转速B、加速度C、微位移D、压力
三、填空题
1、通过将被测量转换为电信号的传感器称为磁敏式传感器。
2、磁电作用主要分为和两种情况。
3、磁电感应式传感器利用导体和磁场发生相对运动而在导体两端输出
的原理进行工作的。
4、磁电感应式传感器以原理为基础的。
5、当载流导体或半导体处于与电流相垂直的磁场中时，在其两端将产生电位差，这一现象
被称为O
6、霍尔效应的产生由于运动电荷受作用的结果。
7、霍尔元件的灵敏度与和有关。
8、霍尔元件的零位误差主要包括和
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