LED外延芯片用砷化镓衬底-编制说明.pdf

国家标准《LED外延芯片用砷化镓衬底》

编制说明（征求意见稿）

一、工作简况

1、立项目的与意义

砷化镓是一种重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，是LED外延芯片的关键衬底材料，在微电子、

光电子等领域有非常明显的优势。我国较早就开展了LED外延芯片用砷化镓衬底材料的研究工作，

在砷化镓衬底材料生长和性质方面的研究取得了很多成果，目前已经形成成熟的产品体系熟。

2014年制定了国家标准《GB/T30856-2014LED外延芯片用砷化镓衬底》，随着生产技术水平

的提高，已经不能满足现有产品的需求，有必要对技术参数加以规范，进行修订、增加相关指标。

形成新的统一标准后可作为砷化镓单晶行业今后组织生产、销售和接受质量监督的依据，以利于LED

外延芯片用砷化镓衬底材料更好发展。。

2、任务来源

根据《国家标准化管理委员会关于下达(2023年)推荐性国家标准计划（修订）的通知》（国标

委发[2023]58号，由大庆溢泰半导体材料有限公司（以下简称溢泰）负责修订《GB/T30856-2014LED

外延芯片用砷化镓衬底》，计划编号T-469。

3、承担单位概况

本项目承担单位大庆溢泰半导体材料有限公司，多年从事Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料研制和生

产，且重视标准化工作，是全国半导体器件标准化技术委员会秘书处依托单位，多年来一直在标准

化领域开展了大量国内和国际标准化工作。

大庆溢泰半导体材料有限公司从事砷化镓材料制备工作已有20余年的历史，公司经营的范围包

括半导体新材料的研发、生产、销售、技术服务等。公司运营、技术团队在半导体衬底材料领域有30

多年从业经验，具有很强的技术开发能力和产业化生产，先后承担了多项国家，省里，市里的重大

专项、重大预研、国产化等多种任务，了解和熟悉国内砷化镓材料的生产、使用和研制工作动态及

技术水平。公司现已成为二代半导体衬底材料，全国TOP3供应商。

4、编制过程

大庆溢泰半导体材料有限公司于2023年1月成立编制组，负责本标准的调研和编写工作。2023

年1月~7月之间，编制组根据任务落实会确定的起草原则，对国内外生产LED外延芯片用砷化镓衬

底的相关企业进行调研和统计，并调研了下游客户的质量要求，按照产品标准的编制原则、框架要

求和国家的法律法规，同时结合企业的一些技术指标和检验数据，起草了本标准的初稿。

1

二、标准编制原则和主要内容的确定依据

1、编制原则

本标准起草单位自接受起草任务后，成立了标准编制组负责收集生产统计、检验数据、市场需

求及客户要求等信息，初步确定了《LED外延芯片用砷化镓衬底》标准起草所遵循的基本原则和编

制依据：

1）按照GB/T1.1产品标准编写示例的要求进行格式和结构编写；

2）根据国内LED外延芯片用砷化镓衬底生产企业的具体情况，力求做到标准的合理性和实用

性；

3）根据技术发展水平及测试数据确定技术取值范围；

4）查阅相关标准和国内外客户的相关技术要求；

5）根据国内企业生产现状及技术发展的趋势。

2、标准主要内容和确定依据

a）范围中本标准改为本文件，并重新定义本标准的适用范围；

本文件规定了LED外延芯片用砷化镓单晶衬底（以下简称“砷化镓衬底”）的技术要求、试验方

法和检验规则、标志、标签，以及包装、运输、储存、质量证明书与订货单（或合同）内容。

本文件适用于砷化镓衬底的生产、测试、检验分析及质量评价。LD外延芯片用砷化镓衬底可参

照执行。

b）增加“Φ200mm”直径规格砷化镓衬底（见4.1，2014年版的4.3）；

4.1.2LED外延用的砷化镓衬底直径规格需要增加“200mm”

c）电学性能需要增加n型和p掺杂剂及截面电阻率均匀性（见5.1，2014年版的4.1和4.4）；

表1砷化镓衬底的电学性能

要求

序号项目

n