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GaN场效应管结构设计及性能仿真

摘要

氮化镓作为第三代半导体凭借其优良的特性而逐渐受到人们的青睐，而在众多半导体器件中，GaNMOSFET结构器件近年来逐渐成为研究的热潮，该结构器件解决了GaNHEMT器件栅泄漏电流过大的问题，且功率消耗低。但是现

阶段的技术和工艺水平有限，很难对p型衬底进行掺杂，构建GaN材料的有限而且性能也不理想，诸多因素制约着

GaNMOSFET器件研发与应用。

针对上述问题，本课题从计算机模拟的角度对GaN场效应管的基本特性进行了分析。研究包括：在新一代TCAD器件物理特性仿真工具Silvaco软件的基础上，利用工艺仿真软件Athena建立新的