CASA：第三代半导体产业发展报告.pdf

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第三代半导体产业发展报告

2023

前言

伴随半导体产业逐渐复苏，以及电动汽车、新能源、消费类电子、

5G通信等应用市场的需求带动，2023年第三代半导体产业保持高速

增长态势。

2023年，国际上以龙头企业为代表，不断开发领先技术、加快迭

代新产品、持续扩张产能、强化供应链合作，并通过整合并购等策略，

逐步建立起相对明朗的竟争格局。市场方面，2023年全球碳化硅

(SiC)、氮化铢(GaN)功率电子市场规模约30.7亿美元，电动和

混合动力汽车(EVIHEV)市场占比约70%，是核心市场驱动力。射

频电子(GaNRF)市场规模约为15亿美元，其中电信基础设施是第

一大应用市场，占比超过50%。供给方面，S化功率电子投资热情持

续，2023年全球新增投资约260亿美元。射频电子因5G通信基础设

施建设进程放缓，产能产线趋于稳定。LED光电子领域仍以

Mini/Micro-LED为主要投资和扩产方向。龙头企业通过供应链合作、

““SiC

整合并购，建立SiC+GaN双业务引擎。企业格局方面，衬底环

节，Wolfspeed、Coherent市场占比全球领先；功率电子器件环节ST、

InfineonOnsem、Wolfspeed、Rohm等五大家，市场总占比达到82%,

、i

行业头部格局确立。射频电子领域，Sumitomo、Qorvo、Macom(收

购Wolfspeed射频业务）、NXP、RFHIC等全球领先，五大家市场总

占比达到71%。技术进展方面，8英寸SiC衬底、外延加快开发；液

相法品体生长技术、复合衬底技术、激光切割技术等促进成本降低；

除全SiC模块之外，SiCMOSFET和SiIGBT的融合模块设计受到关

注；基于GaN衬底的极性超结GaNFET耐压达到万伏；发布集成双

GaN开关管的印3半桥芯片；3D堆叠技术为制备12英寸GaN-on­

Si晶圆提供新路径。开发出基于SiC和蓝宝石衬底的N-face结构W

波段的射频器件；推出基于8英寸技术的GaN-on-S)功率放大器。

国内来看，2023年第三代半导体技术和产业化加快发展。市场

方面，S化和GaN功率电子器件模块市场约153.2亿元，同比增长

45%，产产品主要以光伏逆变、消费电子应用为主，电动汽车主逆

变器市场开始逐步渗透。