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电动汽车 SiC功率半导体封装集成创新技术及应用
sic
康勇
1987年以来，SiC功率器件已发展30余年，20世纪及21世纪初尚为萌芽期，处于科研和军工应用阶段，商业应用较少；随着特斯拉在电动汽车领域开创性的应用，SiC功率器件开始进入大规模应用阶段。在电动汽车发展需求牵引下，近几年已进入宽禁带半导体时代特别是SiC功率器件的高速发展期。
SiC半导体材料相对硅基半导体材料具有全面优势：
l材料特性与应用潜力：高温、高频、高压、低损耗、低热阻。
l高温潜力：SiC芯片最高可耐受600℃高温，而Si芯片物理极限为175℃。
l高频潜力：SiCMOSFET工作频率可提升至1MHz，而传统Si
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