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STCFMAPS内径迹探测器的关键技术研发2023年4月1日111/6/2024
STCFdetectorlayoutBaselineconceptualdesign211/6/2024
MAPSITKBeampiperadium:30mmThreelayersofsiliconpixeldetectors,withradiiof36mm,98mm,160mmAcceptance:polarangleof20o~160oTotalarea:1.26m2311/6/2024LayerRadius(mm)Length(cm)Area(cm2)13619.78447.4629853.853315.87316087.928838.63指标需求位置分辨好于100μm功耗小于100mW/cm2物质量单层不超过0.3%X/X0时间测量分辨200ns事例（第一阶段）能量测量8-bitPreliminarydesign,possibletoaddmorelayers
研究目标新一代正负电子对撞机??超级陶粲装置关键技术攻关项目(2023-2025)研制MAPS硅像素探测器芯片单元和读出电子学系统原型，实现其性能参数达到预期指标；开展硅像素探测器模块的设计和优化，其性能参数达到预期指标411/6/2024考核指标研究内容预期成果1MAPS硅像素传感器单元芯片位置分辨率好于100μm；功耗不超过100mW/cm22MAPS硅像素探测器模块样机完成一个module样机和用于内桶支撑的完整机械结构样机，单层物质量不超过0.3%X/X03MAPS硅像素探测器读出电子学系统实现对前端stave模块原型的供电、配置和控制以及数据汇总和读出。完成一套读出电子学系统，包含三个前端读出电子学模块，一个数据汇总模块，其中每个前端读出电子学模块可对接最多14片MAPS芯片。
研究任务像素探测器的物理设计像素探测器芯片的片内读出电子学设计读出电子学系统的研制像素芯片/电子学的测试与评估探测器模块样机和机械、制冷系统的研究511/6/2024参与单位：山东大学像素芯片设计华中师范大学模块样机和机械支撑西北工业大学抗辐照电源模块中国科大Sensor模拟和设计像素芯片设计读出电子学系统
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