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《电子技术基础》自测题

一、填空题（30分）。

1、P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为，少数载流子为，不能移动的杂质离子带电。

2、PN结具有________特性。

3、基本放大电路的三种组态分别是：放大电路、放大电路和放大电路。

4、放大电路有两种工作状态，当ui＝0时电路的状态称为态，有交流信号ui输入时，放大电路的工作状态称为态。在动态情况下，晶体管的各极电压、电流均包含分量和分量。放大器的输入电阻越大，就越能从前级信号源获得较大的电信号；输出电阻越，放大器带负载能力就越强。

5、理想运算放大器工作在线性区时有两个重要特点：一是两输入电压相等，称为；二是输入电流等于零，称为。

二、判断题（10分）。

1、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。（）

2、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。（）

3、晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。（）

4、基本放大电路通常都存在零点漂移现象。（）

5、“虚短”就是两点并不真正短接，但具有相等的电位。（）

三、选择题（20分）。

1、稳压二极管的正常工作状态是（）。

A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。

2、正弦电流经过二极管整流后的波形为（）。

A、矩形方波；B、等腰三角波；C、正弦半波；D、仍为正弦波。

3、将交流电变换为脉动直流电的电路称为：（）

A.整流电路B.滤波电路C.稳压电路D.放大电路

4、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）

A、发射结正偏、集电结正偏；B、发射结反偏、集电结反偏；

C、发射结正偏、集电结反偏；D、发射结反偏、集电结正偏。

5、基本放大电路中的主要放大对象是（）。

A、直流信号；B、交流信号；C、交直流信号均有。

6、理想运放的两个重要结论是（）。

A、虚短与虚地；B、虚断与虚短；C、断路与短路。

7、在本征半导体中掺入微量的3价元素，形成的杂质半导体中，其多数载流子是（）。

A.空穴B.自由电子C.正离子D.负离子

8、稳压二极管是利用PN结的（）。

A.单向导电性B.反向击穿特性C.电容特性

9、当NPN型三极管的VCEVBE且VBE0.5V时，则该三极管工作在（）。

A.截止区B.放大区C.饱和区D.击穿区

10、反馈放大器的含义是（）

A.输出与输入之间有信号通路B.电路中存在反向传输的信号通路

C.除放大电路以外的信号通路D.电路中存在使输入信号削弱的反向传输通路

四、简述题（30分）。

1、简述整流电路的作用及类型。

2、试比较说明三极管的3种基本放大电路的特点。

3、集成运放的理想条件是什么。

五、计算分析题（10分）。

下图所示三极管的输出特性曲线，（1）试指出各区域名称。（2）当UCE=3V、IB=60μA时，IC=？