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《电子技术基础》自测题

一、填空题。(20分)

1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为，少数载流子为。

2、PN结具有_________特性。

3、基本放大电路的三种组态分别是：放大电路、放大电路

和放大电路。

4、在时间上和数值上均作连续变化的电信号称为信号；在时间上和数值上离散的信号叫做信号。

5、在数字电路的逻辑关系中，最基本的关系是、和非逻辑。

二、选择题。（20分）

1、半导体具有（）特性。

A、伏安特性B、单向导电性C、热敏、光敏、杂敏特性

2、用万用表检测小功率二极管、三极管时，通常选择（）档位。

A、R×10B、R×1000C、R×10KD、任意档

3、当温度升高时时，半导体的导电能力将（）。

A、减弱B、增强C、不变

4、正弦电流经过二极管整流后的波形为（）。

A、矩形方波B、等腰三角波C、正弦半波D、仍为正弦波

5、将交流电变换为脉动直流电的电路称为（）。

A、整流电路B、滤波电路C、稳压电路D、放大电路

6、稳压二极管是利用PN结的（）。

A、单向导电性B、反向击穿特性C、电容特性

7、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）。

A、发射结正偏、集电结正偏B、发射结反偏、集电结反偏

C、发射结正偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结正偏

8、采用（）放大电路具有倒相作用。

A、共集电极电路B、共基极电路C、共发射极电路

9、多级放大电路总放大倍数是各级放大倍数的（）。

A、和B、差C、积

10、十进制数100对应的二进制数为（）。

A、1011110B、1100010C、1100100D三、判断。（20分）

1、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。（）

2、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。（）

3、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。（）

4、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM时，该管必被击穿。（）

5、分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。（）

6、晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。（）

7、基本放大电路通常都存在零点漂移现象。（）

8、“虚短”就是两点并不真正短接，但具有相等的电位。（）

9、或逻辑关系是“有0出0，见1出1”。（）

10、是逻辑代数的非非定律。（）

四、简答题。（30分）

1、试比较说明三极管的3种基本放大电路的特点。

2、集成运放的理想条件是什么。

3、何谓逻辑门？何谓组合逻辑电路？组合逻辑电路的特点？

五、下图所示电路中，已知R1＝2K，Rf＝5K，R2＝2K，R3＝18K，Ui＝1V，求输出电压Uo。（10分）