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集成电路工艺试题及答案
单选题(总共100题)
1.(1分)4英寸的单晶硅锭的切割方式为:()。(1分)
A、外圆切割
B、内圆切割
C、线锯切割
D、以上均可
答案:B
解析:?直径<300mm时采用内圆切割,直径≥300mm时采用外圆切割、线锯切割。4英寸的单晶硅锭直径为100mm,切割方式为内圆切割。
2.(1分)点银浆时,银浆的覆盖范围需要()。(1分)
A、小于50%
B、大于50%
C、大于75%
D、不小于90%
答案:C
解析:?引线框架被推至点银浆指定位置后,点胶头在晶粒座预定粘着晶粒的位置点上定量的银浆(银浆覆盖范围75%)。
3.(1分)使用划片机进行晶圆切割时,
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