集成电路工艺试题及答案.doc

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集成电路工艺试题及答案

单选题(总共100题)

1.(1分)4英寸的单晶硅锭的切割方式为:()。(1分)

A、外圆切割

B、内圆切割

C、线锯切割

D、以上均可

答案:B

解析:?直径<300mm时采用内圆切割,直径≥300mm时采用外圆切割、线锯切割。4英寸的单晶硅锭直径为100mm,切割方式为内圆切割。

2.(1分)点银浆时,银浆的覆盖范围需要()。(1分)

A、小于50%

B、大于50%

C、大于75%

D、不小于90%

答案:C

解析:?引线框架被推至点银浆指定位置后,点胶头在晶粒座预定粘着晶粒的位置点上定量的银浆(银浆覆盖范围75%)。

3.(1分)使用划片机进行晶圆切割时,

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