有哪些信誉好的足球投注网站temperature dependence of electric transport layer graphene under large charge doping induced gating大电荷掺杂诱导栅极效应下少层石墨烯中电输运温度依赖性.pdfVIP
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TemperatureDependenceofElectricTransportinFew-layerGrapheneunderLarge
ChargeDopingInducedbyElectrochemicalGating
11()111()1
R.S.Gonnelli,F.Paolucci,E.Piatti,KanudhaSharda,A.Sola,M.Tortello,JijeeshR.
112()2()
Nair,C.Gerbaldi,M.BrunaandS.Borini
1DipartimentodiScienzaApplicataeTecnologia,PolitecnicodiTorino,10129Torino,Italy
2IstitutoNazionalediRicercaMetrologica(INRIM),Torino,10135Torino
()Presentaddress:MaxPlanckInstituteforSolidStateResearch,Stuttgart,Germany
()Presentaddress:IstitutoNazionalediRicercaMetrologica(INRIM),Torino,10135Torino
()Presentaddress:NokiaResearchCenter,Cambridge,CB30FA,UnitedKingdom
Thetemperaturedependenceofelectrictransportpropertiesofsingle-layerandfew-layer
grapheneatlargechargedopingisofgreatinterestbothforthestudyofthescattering
processesdominatingtheconductivityatdifferenttemperaturesandinviewofthe
theoreticallypredictedpossibilitytoreachthesuperconductingstateinsuchextreme
conditions.Herewepresenttheresultsobtainedin3-,4-and5-layergraphenedevicesdown
14-2
to3.5K,wherealargesurfacechargedensityuptoabout6.8·10cmhasbeenreachedby
employinganovelpolymerelectrolytesolutionfortheelectrochemicalgating.Incontrastwith
recentresultsobtainedins
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