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DummyPatternInsertionGuide/Release4.0V1.0
Introduction
In90nmand0.13umCuchemical-mechanicalpolishing(CMP)process,over-
polishtoremovealltheresidualmetalsisnecessarytoachieveaglobal
planarization.However,layoutpatternvariationresultinginmetaldishingand
oxideerosionoftendecreaseschipyieldanddegradescircuitperformance.Inthat
case,dummyfillingbecomesapracticaltechniquetoreducinglayoutpattern
variationimpact.Inrealchipdesign,metaldensityruleisrarelytomeetandhard
toimprovebymanual.Forthesakeofdesignautomation,TSMCprovidesdesign
rulebaseddummypatterninsertionutilities.Relateddummypatternspecifications
arealsoexplicitlydefinedinTSMCdesignrules.
DummyPatternSelection
In90nmprocess,thereisvarietyoflegaldummypatternscanbeused.Inour
observation,largepatternismuchhelpfulinmeetingchipdensity,butwillinduce
largechipcapacitance.Smallerpatternisquitethecontrary.Theguidestoselect
propersizeofdummypatternsaremeetingdensityrequirement,minimizing
OPCimpact,andminimizinginducedcapacitance.
FordummyOD/Poly,relateddesignrulesare
DOD.W.1:minimalDODwidthis1um
DOD.S.1:minimalDODspaceis0.6um
DOD.R.1:densityoverany150um*150umoncoreareais20%~80%
DPO.W.1:minimalDPOwidthis0.4um
DPO.S.1:minimalDPOspaceis0.3um
DPO.R.2:minimalPOLYdensityacrossfullchipis14%.
Thesetwopatternssuggestedindesignareusedinpatternfillingutilities.
7.5um
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