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原子层沉积法制备MCP发射层的性能研究.pdf

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    摘要

    MCP具有噪声较小、寿命长、较高的增益等特性，在X射线探测器、光电倍增

    管、紫外辐射、微光夜视等多种技术领域有着广泛应用。传统MCP由于性能受到材

    料物理性质和制备工艺限制，二次电子发射系数较低且难以调节，导致提高性能具有

    很大挑战性。原子层沉积（ALD）技术由于其自限制特性，能精准控制薄膜厚度，即

    使在高长径比基底上也能沉积厚度均匀的薄膜。因此，ALD技术非常适用于MCP功

    能层薄膜的制备。

    本文从理论上研究了影响二次电子发射系数（δ）的因素和δ对发射层

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