氧化镓及其异质结光电探测器性能研究.pdf

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摘要

摘要

氧化镓(GaO)是一种兼具良好的热稳定性和卓越的化学稳定性的直接带隙半导

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体材料,其禁带宽度涵盖了4.2eV到5.3eV的光子能量范围,被认为是制造日盲光电

探测器的理想材料。尽管GaO本身具有良好的电学和光学性能,但是基于GaO的

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