人教版高考化学一轮总复习精品课件 第4章 非金属及其化合物 作业14无机非金属材料.ppt

123456789101112131415B组综合提升11.(2023·浙江师范大学附属中学段考)下列关于同主族元素C、Si及其化合物的性质比较和原因分析不正确的是()选项性质比较原因分析A熔点:CO2SiO2摩尔质量:CO2SiO2B电负性:CSi原子半径:CSiC酸性:H2CO3H2SiO3非金属性:CSiD热稳定性:CH4SiH4键能:C—HSi—HA123456789101112131415解析CO2为分子晶体,分子间存在分子间作用力,而SiO2为共价晶体,Si与O之间通过共价键连接,因此CO2熔点低于SiO2,A错误;原子半径CSi,C原子得电子能力更强,故电负性CSi,B正确;元素的非金属性越强,其最高价氧化物对应水化物的酸性越强,非金属性CSi,故酸性H2CO3H2SiO3,C正确;非金属性CSi,C原子得电子能力更强,同时C的原子半径小于Si,故C—H键能大于Si—H,热稳定性CH4SiH4,D正确。12345678910111213141512.(2023·浙江嘉善高级中学检测)天然金刚石存在极少,以石墨为原料制备人造金刚石成为当前研究热点。下图是碳单质在不同温度、压强下存在形式的平衡图像,其中M区为金刚石的工业催化合成区,下列有关说法错误的是()A.稳定性:金刚石石墨B.密度:金刚石石墨C.在M区实现金刚石的合成,高温环境有利于提高石墨的平衡转化率D.上图Q区与R区中,表示气态碳单质C(g)存在的区域应出现在R区C123456789101112131415解析金刚石中碳碳单键的键长大于石墨中碳碳键的键长,晶体中的共价键弱于石墨,所以稳定性弱于石墨,故A正确;由题图可知,在温度相同条件下,石墨变成金刚石需加压,说明石墨层与层之间距离较大,则金刚石的密度大于石墨,故B正确;由题图可知,在M区实现金刚石的合成时,低温环境有利于提高石墨的平衡转化率,故C错误;相同温度下,压强越小,越利于气态碳存在,则题图中表示气态碳单质存在的区域应出现在R区,故D正确。12345678910111213141513.(2023·浙江上虞中学月考)H2SO4-SiO2法生产多晶硅的流程如下。下列说法错误的是()A.合成1反应中H2作氧化剂B.合成2的反应为SiF4+NaAlH4+NaAlF4C.上述流程说明SiO2可溶于H2SO4D.净化、热解中生成的多晶硅为还原产物C123456789101112131415解析合成1中发生反应Na+Al+2H2===NaAlH4,合成2中发生反应NaAlH4+SiF4===SiH4+NaAlF4,合成3制备四氟化硅,净化、热解SiH4步骤中四氢化硅分解为晶体硅和氢气。合成1中发生反应Na+Al+2H2===NaAlH4,氢元素由0价转化成-1价,氢气作氧化剂,故A说法正确;根据上述分析,合成2中发生反应NaAlH4+SiF4===SiH4+NaAlF4,故B说法正确;合成3中NaAlF4与硫酸反应生成HF,HF与二氧化硅反应生成SiF4,因此不能说明二氧化硅可溶于硫酸,故C说法错误;四氢化硅分解为晶体硅和氢气,根据电负性分析,氢的电负性强于硅,硅元素显+4价,化合价降低,因此晶体硅为还原产物,故D说法正确。12345678910111213141514.(2023·浙江绍兴柯桥中学月考)制造芯片用到高纯硅,用SiHCl3(沸点:31.85℃,SiHCl3遇水会剧烈反应,易自燃)与过量H2在1100~1200℃反应制备高纯硅的装置如图所示(夹持装置和尾气处理装置略去),下列说法不正确的是()123456789101112131415A.整个实验的关键是控温、检查装置气密性和排尽装置中的空气B.装置Ⅱ、Ⅲ中依次盛装的是浓硫酸、温度高于32℃的温水C.实验时,先打开装有稀硫酸仪器的活塞,收集尾气验纯,再预热装置Ⅳ石英管D.尾气处理可直接通入NaOH溶液中答案D123456789101112131415解析由实验装置可知,Ⅰ中Zn与稀硫酸反应生成氢气,Ⅱ中浓硫酸干燥氢气,Ⅲ中汽化的SiHCl3与过量H2混合,Ⅳ中高温下反应生成硅,SiHCl3遇水发生反应SiHCl3+3H2O===H2SiO3↓+H2↑+3HCl↑。SiHCl3的沸点为31.85℃,且易