抛光片标准规格及术语讲课课件.pptVIP

抛光片标准规格及术语;目录;标准化组织;多数载流子为空穴的半导体。

LocalizedLightScatterers(LLS)

硅片边缘通过研磨或腐蚀整形加工成一定角度，以消除硅片边缘尖锐状态，避免在后续加工中造成边缘损伤。

SEMIM17Guideforauniversalwafergrid

d)理想的背面(相当于与晶片接触的理想平坦的吸盘表面)；

SEMIM1-0704(designationupdate)SEMIM1-93(technicalrevision)

TwinCrystal

0ppma (100orientation)

硅片表面上肉眼可见的各种外来异物的统称。

在硅片表面上能观察到窄束钨灯灯丝的影像，表面有雾存在。

硅抛光片前表面上的一种矩形局域。

RadialReststivityVariation

50°;[]°±°;

通过硅片上一给定点垂直于表面方向穿过硅片的距离。

随着业务范围的不断扩大和发展，学会的工作不仅仅是研究和制定材料规范和试验方法标准，还包括各种材料、产品、系统、服务项目的特点和性能标准，以及试验方法、程序等标准。;ASTM

AmericanSocietyforTestingandMaterials;JEITA;SEMI标准内容;Tableofcontents-Topical;Tableofcontents–SEMIMTopical;SpecificationsforPolishedSingleCrystalSiliconWafers;SEMIM1-1109;SEMIM1-0707;2-1GeneralCharacteristics;GrowthMethod;Cz生长技术;Fz生长技术;两种方法的对比;ConductivityType;[]Notgreaterthan[]xE[]atoms/cm2

[]SEMIMF534;[]JISH0611;

Notgreaterthan[]/cm2

[]SEMIMF671

[]SEMIMF26(X-ray)

[]JISH0609;[]Other:

[]SEMIMF978(DLTS);

SEMIMF391[]A/B;

[]IOC-88;[]OldASTM;

BackSurfaceCondition

EdgeCracks

横穿硅片表面，通过硅片中心点且不与参考面或圆周上其他基准区相交的直线长度。

AutomatedMaterialHandlingStstems

[]DIN50441/1(fiveorninepoint);

符合定义且径向深度和圆周长度大于0.;WaferSurfaceOrientation;2-2ElectricalCharacteristics;ResistivityMeasuredat

;RadialReststivityVariation(RRG);MinorityCarrierLifetime

;2-3ChemicialCharacteristics;OxygenConcentration;OxygenConcentration;RadialOxygenGradient

;CarbonConcentration;BulkIronContent;2-4StructuralCharacteristics;DislocationEtchPitDensity;Slip;Lineage;TwinCrystal;Swirl;ShallowPits

;OxygenInducedStacking

Fault(OSF)

;2-5WaferPreparationCharacteristics;WaferIDMarking;Gettering;IntrinsicExtrinsicGettering

;[]None;[]Other;(θ)_____°

这一层就如同密封剂一样防止掺杂剂的逃逸。

SEMIM1-0704(designationupdate)SEMIM1-93(technicalrevision)

2-9BackSurfaceVisualCharacteristics

[]None;[]Other;

对于重掺的硅片来说，会经过一个高温阶段，在硅片背面淀积一层薄膜，能阻止掺杂剂的向外扩散。

2-1Gen