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发射极是输入回路、输出回路的公共端共发射极电路输入回路输出回路测量晶体管特性的实验线路ICEBmA?AVUCEUBERBIBECV++––––++1.输入特性特点:非线性死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。正常工作时发射结电压：NPN型硅管UBE?0.6~0.7VPNP型锗管UBE??0.2~?0.3VIB(?A)UBE(V)204060800.40.8UCE?1VO二、输出特性1.调整RB使基极电流为某一数值。2.基极电流不变，调整EC测量集电极电流和uCE电压。50μA40μA30μA10μAIB=020μAuCE/VO24684321iC/mAmAICECIBRBEBCEB3DG6?ARCV+uCE?输出特性IB=020?A40?A60?A80?A100?A36IC(mA)1234UCE(V)912O放大区输出特性曲线通常分三个工作区：(1)放大区在放大区有IC=?IB，也称为线性区，具有恒流特性。在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。IB=020?A40?A60?A80?A100?A36IC(mA)1234UCE(V)912O（2）截止区IB0以下区域为截止区，有IC?0。在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。饱和区截止区（3）饱和区当UCE?UBE时，晶体管工作于饱和状态。在饱和区，?IB?IC，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。深度饱和时，硅管UCES?0.3V，锗管UCES?0.1V。1.3.4主要参数一.共发射极电流放大系数直流电流放大系数交流电流放大系数?当晶体管接成发射极电路时，表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。注意：和?的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且ICE0较小的情况下，两者数值接近。常用晶体管的?值在20~200之间。例：在UCE=6V时，在Q1点IB=40?A,IC=1.5mA；在Q2点IB=60?A,IC=2.3mA。在以后的计算中，一般作近似处理：?=IB=020?A40?A60?A80?A100?A36IC(mA)1234UCE(V)9120Q1Q2在Q1点，有由Q1和Q2点，得1.集-基极反向截止电流ICBOICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。温度??ICBO?ICBO?A+–EC2.集-射极反向截止电流(穿透电流)ICEO?AICEOIB=0+–ICEO受温度的影响大。温度??ICEO?，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。二、极间反向饱和电流发射极开路基极开路1.集电极最大允许电流ICM（1）集-射极反向击穿电压U(BR)CEO集电极电流IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。当集—射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25?C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。基极开路时C、E极间反向击穿电压。三、极限参数2.反向击穿电压（2）集电极－基极反向击穿电压U(BR)CBO—发射极开路时C、B极间反向击穿电压。（3）发射极－基极反向击穿电压U(BR)EBO—集电极开路时E、B极间反向击穿电压。ICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作区由三个极限参数可画出三极管的安全工作区ICUCEO3、集电极最大允许耗散功耗PCM：PCM取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，温升过高会烧坏三极管。PC?PCM=ICUCE硅管允许结温约为150?C，锗管约为70?90?C。晶体管参数与温度的关系1、温度每增加10?C，ICBO增大一倍。硅管优于锗管。2、温度每升高1?C，