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IC常用术语
园片：硅片
芯片(Chip,Die)：
6、8：硅（园）片直径：1＝25.4mm
6150mm;8200mm;12300mm;
亚微米1m的设计规范
深亚微米=0.5m的设计规范
0.5m、0.35m－设计规范（最小特征尺寸）
布线层数：金属（掺杂多晶硅）连线的层数。
集成度：每个芯片上集成的晶体管数
IC工艺常用术语
净化级别：Class1,Class10,Class10,000
每立方米空气中含灰尘的个数
去离子水
氧化
扩散
注入
光刻
…………….
集成电路（IntegratedCircuit,IC）：半导体IC，膜IC，混合IC
半导体IC：指用半导体工艺把电路中的有源器件、无源元件及互联布线等以相互不可分离的状态制作在半导体上，最后封装在一个管壳内，构成一个完整的、具有特定功能的电路。
半导体IC
双极IC
MOSIC
BiCMOS
PMOSIC
CMOSIC
NMOSIC
MOSIC及工艺
MOSFET—MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor
.—金属氧化物半导体场效应晶体管
Si
金属
氧化物（绝缘层、SiO2）
半导体
MOS(MIS)结构
栅氧化层厚度：
50埃－1000埃（5nm－100nm）
VT－阈值电压
电压控制
N沟MOS（NMOS）
P型衬底，受主杂质；
栅上加正电压，表面吸引电子，反型，电子通道；
漏加正电压，电子从源区经N沟道到达漏区，器件开通。
N－衬底
p+
p+
漏
源
栅
栅氧化层
场氧化层
沟道
P沟MOS（PMOS）
VT
VGS
ID
+
-
VDS0
N型衬底，施主杂质，电子导电；
栅上加负电压，表面吸引空穴，反型，空穴通道；
漏加负电压，空穴从源区经P沟道到达漏区，器件开通。
CMOS
CMOS：ComplementarySymmetryMetalOxideSemiconductor
互补对称金属氧化物半导体－特点：低功耗
VSS
VDD
Vo
Vi
CMOS倒相器
PMOS
NMOS
I/O
I/O
VDD
VSS
C
C
CMOS传输门
N-Si
P+
P+
n+
n+
P-阱
D
D
Vo
VG
VSS
S
S
VDD
CMOS倒相器截面图
CMOS倒相器版图
ANMOSExample
pwell
Pwell
Active
Poly
N+implant
P+implant
Omicontact
Metal
N－typeSi
SiO2
光刻胶
MASKPwell
N－typeSi
SiO2
光刻胶
光刻胶
MASKPwell
N－typeSi
SiO2
光刻胶
光刻胶
SiO2
N－typeSi
SiO2
SiO2
Pwell
pwell
Pwell
Active
Poly
N+implant
P+implant
Omicontact
Metal
N－typeSi
SiO2
Pwell
SiO2
光刻胶
MASKactive
MASKActive
Si3N4
2024-11-11
17
可编辑
N－typeSi
SiO2
Pwell
SiO2
光刻胶
光刻胶
MASKactive
MASKActive
Si3N4
N－typeSi
SiO2
Pwell
SiO2
光刻胶
光刻胶
Si3N4
N－typeSi
SiO2
Pwell
SiO2
场氧
场氧
场氧
Pwell
Si3N4
N－typeSi
SiO2
Pwell
场氧
场氧
场氧
Pwell
N－typeSi
SiO2
Pwell
SiO2
场氧
场氧
场氧
Pwell
poly
active
pwell
Pwell
Active
Poly
N+implant
P+implant
Omicontact
Metal
N－typeSi
SiO2
Pwell
SiO2
MASKpoly
场氧
场氧
场氧
Pwell
poly
光刻胶
N－typeSi
SiO2
Pwell
SiO2
MASKpoly
场氧
场氧
场氧
Pwell
光刻胶
poly
N－typeSi
SiO2
Pwell
SiO2
场氧
场氧
场氧
Pwell
poly
N－typeSi
SiO2
Pwell
SiO2
场氧
场氧
场氧
Pwell
poly
active
pwell
poly
Pwell
Active
Poly
N+implant
P+impl
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