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《单晶氮化镓的磨削特性研究及其分子动力学仿真》

一、引言

随着科技的进步，半导体材料在众多领域中的应用越来越广泛。其中，单晶氮化镓（GaN）作为一种重要的半导体材料，具有优良的物理和化学性质，被广泛应用于光电子器件、微电子器件等领域。然而，单晶氮化镓的加工难度较大，磨削过程中的材料去除机制和表面质量控制等问题一直是研究的热点。因此，本文旨在研究单晶氮化镓的磨削特性，并利用分子动力学仿真技术进行模拟分析，为单晶氮化镓的加工提供理论依据。

二、单晶氮化镓的磨削特性

2.1磨削过程的基本原理

单晶氮化镓的磨削过程是一个复杂的物理和化学过程。在磨削过程中，磨料与工件表面产生相互作用，使工件表面发生去