课后习题二(第四章、第五章).docVIP

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课后习题二(第四章、第五章)

1.计算机使用总线结构便于增加外设,同时(C)

A.减少了信息传输B.提高了信息的传输速

C.减少了信息传输线的条D.以上均不对

2.计算机使用总线结构的主要优点是便于实现积木化,缺点是(C)

A.地址信息、数据信息和控制信息不能同时出..

B.地址信息和数据信息不能同时出

C.两种信息源的代码在总线中不能同时传...

D.数据信息不能双向传送

3.总线中地址线的作用是(C)

A.用于选择存储器单B.用于选择进行信息传输的设

C.用于指定存储器单元和I/O设备接口电路的选择地..D.以上均不对

4.微型机读/写控制信号的作用是(D)

A.决定数据总线上的数据流方..

B.控制存储器操作(读/写)的类

C.控制流入、流出存储器信息的方...

D.以上的任一种作用

5.在三种集中式总线控制中,响应时间最快的方式是(C)

A.链式查..B.计数器定时查..C.独立请..D.以上三种均可

6.在三种集中式总线控制中独立请求方式响应时间最快,是以(B)为代价的

A.增加处理机的开B.增加控制线

C.增加存储器的容D.增加处理机的时钟频率

7、同步通讯之所以比异步通讯具有较高的传输频率是因为(E)

A.同步通讯不需要应答信..

B.同步通讯方式的总线长度较...

C.同步通讯用一个公共的时钟信号进行同...

D.同步通讯各部件存取时间比较接近

E.以上各种因素综合的结果

8、存储器是计算机系统的记忆设备,它主要用来(D)

A.存放程B.存放微程

C.存放特殊的数D.存放数据和指令

9、存储字是(A)

A.存放在一个存储单元的二进制代码组..

B.存放在一个存储单元的二进制代码个..

C.存储单元的集...

D.与存储器无关

10、存储字长是指(B)

A.存放在一个存储单元的二进制代码组..

B.存放在一个存储单元的二进制代码个..

C.存储单元的集...

D.以上均不对

11.存储周期是指(C)

A.存储器的写入时..

B.存储器进行连续写操作所允许的最短时间间..

C.存储器进行连续读或写操作所允许的最短时间间隔

D.与存储器的具体实现技术无关

12.和外存储器相比,内存的特点是(A)

A.容量小、速度快、成本..

B.容量小、速度快、成本..

C.容量大、速度快、成本.

D.容量大、速度慢、成本低

一个16K×32位的存储器,其地址线和数据线的总和是(B)

14+32=46

A.4B.4C.3D.32

14、一个512KB的存储器(按字节编址),其地址线根数是(D)

.A.6B.3C.2D.19

某计算机字长为16位,它的存储容量是64KB,按字编址,则它的寻址范围是(C)

16+16=32

.A.64B.32KC.32D.无法确定

某一RAM芯片,其容量为512×8位,如果考虑电源和接地引脚,则该芯片引出的引脚数最少是(A)

9+8+4=21

.A.2B.1C.1D.15

17、若主存每个存储单元为16位,则(B)

A.其地址线也为16B.其地址线与16无..

C.其地址线最少为16D.其地址线与16有关

18、通常计算机的内存可采用(A)

..A.RAM和RO...B.RAC.ROD.磁盘

19、EPROM是指(C)

A.只读存储B.可编程的只读存储

C.可擦除的可编程的只读存储..D.电可擦除的可编程的只读存储器

20、可编程的只读存储器(A)

A.不一定是可改写B.一定是可改写

C.一定是不可改写D.以上均不对

21.下列说法中(D)是正确的

A.半导体RAM信息可读可写,且断电后仍能保持记..

B.半导体RAM是易失性RAM,而静态RAM中的存储信息是不易失.

C.半导体RAM是易失性RAM,而动态RAM中的存储信息是不易失.

D.半导体RAM是易失性RAM,而静态RAM只有在电源不掉时,所存信息是不易失的

22.下列说法中(B)是正确的

A.EPROM是可改写的,但改写一次后不能再次改..

B.EPROM是可改写的,且可多次改写

C.EPROM是可改写的,是用电信号直接改写

D.EPROM是可改写的,是用磁信号直接改写

23.和动态MOS存储器相比,双极性半导体存储器的性能是(

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