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DRAM基础知识单选题100道及答案解析

1.DRAM的全称是（）

A.DynamicRandomAccessMemory

B.DigitalRandomAccessMemory

C.DirectRandomAccessMemory

D.DataRandomAccessMemory

答案：A

解析：DRAM即DynamicRandomAccessMemory，动态随机存取存储器。

2.DRAM中的存储单元通常由（）构成。

A.电容和晶体管

B.电阻和电容

C.电阻和晶体管

D.电感和电容

答案：A

解析：DRAM的存储单元通常由电容和晶体管构成。

3.DRAM相比SRAM的主要优点是（）

A.速度快

B.集成度高

C.功耗低

D.价格便宜

答案：B

解析：DRAM相比SRAM集成度更高。

4.DRAM中的信息需要（）进行刷新。

A.定期

B.不定期

C.无需

D.随机

答案：A

解析：DRAM中的信息需要定期刷新以保持数据。

5.DRAM的刷新操作是为了（）

A.增加存储容量

B.提高读写速度

C.保持数据

D.消除干扰

答案：C

解析：刷新操作是为了保持存储在DRAM中的数据。

6.以下哪种不是DRAM的常见类型（）

A.SDRAM

B.DDRSDRAM

C.EEPROM

D.DDR3SDRAM

答案：C

解析：EEPROM不是DRAM的类型。

7.DRAM的读写操作是（）

A.同时进行

B.先读再写

C.先写再读

D.分开进行

答案：D

解析：DRAM的读写操作是分开进行的。

8.DRAM的地址线通常分为（）

A.行地址和列地址

B.高位地址和低位地址

C.数据地址和控制地址

D.存储地址和缓存地址

答案：A

解析：DRAM的地址线通常分为行地址和列地址。

9.DRAM的存储容量主要取决于（）

A.地址线数量

B.数据线数量

C.晶体管数量

D.电容数量

答案：A

解析：存储容量取决于地址线数量。

10.DRAM的工作电压一般为（）

A.5V

B.3.3V

C.1.8V

D.1.2V

答案：C

解析：DRAM的工作电压一般为1.8V左右。

11.DRAM中的数据在断电后（）

A.不会丢失

B.部分丢失

C.全部丢失

D.不确定

答案：C

解析：DRAM是易失性存储器，断电后数据全部丢失。

12.提高DRAM速度的方法包括（）

A.增加存储容量

B.缩短刷新周期

C.采用流水线技术

D.增加地址线数量

答案：C

解析：采用流水线技术可以提高DRAM的速度。

13.DRAM的刷新方式不包括（）

A.集中式刷新

B.分散式刷新

C.异步式刷新

D.同步式刷新

答案：D

解析：DRAM的刷新方式包括集中式刷新、分散式刷新和异步式刷新。

14.DRAM芯片的引脚数量主要取决于（）

A.存储容量和接口类型

B.工作频率和封装形式

C.制造工艺和价格

D.品牌和产地

答案：A

解析：引脚数量取决于存储容量和接口类型等因素。

15.以下关于DRAM性能指标的描述，错误的是（）

A.存储容量越大性能越好

B.访问时间越短性能越好

C.刷新周期越长性能越好

D.功耗越低性能越好

答案：C

解析：刷新周期越短性能越好。

16.DRAM控制器的主要功能是（）

A.产生地址和控制信号

B.进行数据运算

C.存储数据

D.提高工作电压

答案：A

解析：DRAM控制器产生地址和控制信号来管理DRAM的操作。

17.与DRAM相比，SRAM的特点是（）

A.速度慢、价格低

B.速度快、价格高

C.速度慢、价格高

D.速度快、价格低

答案：B

解析：SRAM速度快但价格高。

18.DRAM的发展趋势是（）

A.容量减小、速度降低

B.容量增大、速度提高

C.容量不变、速度不变

D.容量和速度随机变化

答案：B

解析：DRAM的发展趋势是容量增大、速度提高。

19.在计算机系统中，DRAM通常用于（）

A.高速缓存

B.主存储器

C.硬盘缓存

D.寄存器

答案：B

解析：DRAM通常用于计算机的主存储器。

20.DRAM存储单元的电容充电表示（）

A.0

B.1

C.不确定

D.以上都不对

答案：B

解析：电容充电表示1。

21.DRAM存储单元的电容放电表示（）

A.0

B.1

C.不确定

D.以上都不对

答案：A

解析：电