国家标准《硅片表面薄膜厚度的测试 光学反射法》编制说明(送审稿).pdfVIP

国家标准《硅片表面薄膜厚度的测试光学反射法》

编制说明（送审稿）

一、工作简况

1、标准立项目的和意义

集成电路产业是信息技术产业的核心，是国家重要的基础性、先导性和战略性产业，

是推动国民经济和信息化发展的主要高新技术。近10年来，我国的集成电路产业发展迅

猛，随着高端集成电路市场在国内的兴起，对硅抛光衬底片中金属的要求越来越高。为了

取得更洁净的表面，引入了背面长多晶的吸杂工艺；同时对外延用重掺硅抛光片，为了防

止在外延过程中的自掺杂和缩短外延工艺时间，通常会在硅片背表面生产一层氧化膜作为

背封膜。这两种工艺要求已经成为硅抛光片重掺产品中非常常见的要求，因此规范这类背

封膜和多晶层的厚度测试及质量评估变得尤为重要，背封膜厚和多晶层的厚度及均匀性会

直接影响器件后续工艺的成品率。本标准描述的测试方法是目前广泛应用于硅片行业内对

背封膜和背面多晶（本方法中将这两类统称为硅片表面薄膜）的测试方法。

2、任务来源

根据《国家标准化管理委员会关于下达第一批推荐性国家标准计划的通知》（国标委

发[2019]11号）的要求，由有研半导体材料有限公司负责国家标准《硅片薄膜厚度的测

试光学反射法》的制定工作，计划编号T-469。

3、主要工作过程

3.1、起草阶段

本项目在下达计划后，组织了专门的标准编制小组，进行了设备、用户要求、相关标

准应用等方面的调研和收集；与同行、设备商进行了充分的沟通；结合多年来国内外用户

对硅片薄膜厚度的要求和多年的测试实践，按照国家标准的格式要求起草了本标准，并于

2019年5月形成了标准讨论稿。

2019年5月16日，由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会组

织，在浙江省宁波市召开了《硅片表面薄膜厚度的测试光学反射法》标准第一次工作会

议（讨论会），共有南京国盛电子有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、江苏中能硅

业科技发展有限公司等28个单位36位专家参加了本次会议。与会专家对标准讨论稿进行

了逐条讨论，并对规范性引用文件、测试环境、仪器设备等提出了修改意见。会后编制组

根据讨论会意见对标准稿件进行了修改，并制定了试验方案开展试验验证。

3.2、征求意见阶段

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2020年受疫情影响，试验验证工作有些滞后，经过协调沟通，编制组于2020年7月

形成了征求意见稿，并提交至全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员

会。2020年8月19日，由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会组

织，在天津召开了《硅片表面薄膜厚度的测试光学反射法》标准第二次工作会议（预审

会），进行征求意见。会上专家们对该标准征求意见稿进行了逐条讨论，并提出了修改意

见。

2020年9月至11月，编制组根据天津会议意见，结合巡回测试试验结果，将修改后

的征求意见稿发至行业主要相关的单位广泛征求意见。同时，全国半导体设备和材料标准

化技术委员会材料分技术委员会在国家标准化管理委员会的“国家标准化业务管理平台”

上挂网，向社会公开征求意见，未收到反馈意见。同时，标委会通过工作群、邮件向委员

单位征求意见，并将征求意见资料在网站上挂网征求意见。征求意见的

单位包括主要的生产、经销、使用、科研、检验等，征求意见单位广泛且具有代表性。

2020年11月，编制组对收集到的意见进行整理，形成了意见汇总表，并在此基础上

对标准征求意见稿进行修改形成了送审稿。

4、项目主要完成单位及完成人做的工作

有研半导体材料有限公司（以下简称“有研半导体”）成立于2001年6月，系中央企

业有研科技集团有限公司（以下简称“有研科技集团”）的下属公司。有研半导体是国家

级高新技术企业和首批国家技术创新示范企业，拥有半导体材料国家工程研究中心、国家

企业技术中心，共建了国家有色金属及电子材料分析测试中心，位于北京市高新技术产业

云集的中关村科技园区，拥有整套具有自主知识产权的半导体硅材料的核心技术和符合国

际标准的先进厂房设备。公司目前主要从事硅和其它电子材料的研究、开发与生产，提供

相关技术开发、技术转让和技术咨询服务。主要产品包括数字集成电路用6-12英寸硅单

晶