透明导电薄膜及其制备方法 .pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN101159178A

(43)申请公布日2008.04.09

(21)申请号CN200710056303.5

(22)申请日2007.11.12

(71)申请人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

地址130033吉林省长春市东南湖大路16号

(72)发明人李会斌王宁刘星元

(74)专利代理机构长春菁华专利商标代理事务所

代理人赵炳仁

(51)Int.CI

H01B5/14

H01B1/08

H01B13/00

C23C14/24

C23C14/08

G09F9/30

H05B33/28

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

透明导电薄膜及其制备方法

(57)摘要

本发明涉及一种可广泛应用于液晶

显示屏、电致发光显示器、太阳能电池、

薄膜晶体管、有机和无机半导体激光器、

隔热节能玻璃等技术领域的透明导电薄膜

及其制备方法。该薄膜是在主体材料In

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种透明导电薄膜，其特征在于，是在主体材料Insub2/subOsub3/sub

中掺杂有V元素所构成的铟钒氧化物(Insub2/subOsub3/sub:V)，简称为

IVO，该IVO材料中V与In的质量比为0.1％～30％。

2.一种制备权利要求1所述的透明导电薄膜的方法，其特征在于是在真空镀膜机中

采用真空热蒸发法获得所述的透明导电薄膜，具体步骤如下：

a.将用去离子水与丙酮超声清洗过的玻璃衬底用干燥的氮气吹干之后放入真空室中，

并将真空室抽真空至室内压强低于5.0×10sup-3/supPa，然后对玻璃衬底进行

加温，温度为70～350℃；

b.向真空室充入氧气，充入真空室内的氧气纯度为99.999％，充入氧气之后，控制

真空室内压强为8×10sup-3/sup～2×10sup-1/supPa范围之内；

c.为避免衬底表面成分对IVO成膜特性的影响，先在衬底上生长一层

SiOsub2/sub，厚度为1～15nm；

d.在SiOsub2/sub上采用双源共蒸的方式同时热蒸发金属In与

Vsub2/subOsub5/sub材料，其中金属In的蒸发速率为0.2～3nm/s，

Vsub2/subOsub5/sub蒸发速率为0.01～1nm/s，制得薄膜厚度范围为

30nm～500nm。

3.一种制备权利要求1所述的透明导电薄膜的方法，其特征在于是在真空镀膜机中

采用电子束沉积法获得所述的透明导电薄膜，具体步骤如下：

a.将用去离子水与丙酮超声清洗过的玻璃衬底用干燥的氮气吹干之后放入真空室中，

并将真空室抽真空至室内压强低于5.0×10sup-3/supPa，然后对玻璃衬底进行

加温，温度为70～350℃；

b.向真空室充入氧气，充入真空室内的氧气纯度为99.999％，充入氧气之后，控制

真空室内压强为8×10sup-3/sup～2×10sup-1/supPa范围之内；

c.为避免衬底表面成分对IVO成膜特性的影响，先在衬底上生长一层

Alsub2/subOsub3/sub，厚度为1～15nm；

d.在Alsub2/subOsub3/sub上采用电子束热蒸发法蒸发InV合金材料，蒸

发速率为0.05～2nm/s，制得薄膜厚度范围为20nm～500nm。

说明书

技术领域

本发明涉及一种可广泛应用于液晶显示屏、电致发光显示器、太阳能电池、薄膜晶

体管、有机和无机半导体激光器、隔热节能玻璃等技术领域的透明导电薄膜及其制

备方法。

背景技术

透明导电薄膜是指在衬底上形成的一种对可