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SiC薄膜的制备及性能研究

指导老师：

学生姓名：

专业班级：材料工程

摘要

碳化硅被誉为下一代半导体材料，因为其具有众多优异的物理化

学特性，被广泛应用于光电器件、高频大功率、高温电子器件.本文阐

述了SiC研究进展及应用前景，从光学性质、电学性质、热稳定性、

化学性质、硬度和耐磨性、掺杂物六个方面介绍了SiC的性能.SiC有高

的硬度与热稳定性,稳定的结构，大的禁带宽度,高的热导率，优异

的电学性能。同时介绍了SiC的制备方法：物理气相沉积法和化学气

相沉积法，以及SiC薄膜表征手段。包括X射线衍射谱、傅里叶红外光

谱、拉曼光谱、X射线光电子能谱等。最后讲了SiC的光学性能和电学

性能以及参杂SiC薄膜的光学性能研究进展。

关键词：SiC,溅射，掺杂，性能研究

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StudyOnTheSynthesisAndProperties

OfSiCFilm

Class：MaterialEngineering

Name:HengyiWang

Instructor:YuxiangLi

Abstract

Siliconcarbideisknownasnext-generationsemiconductormaterials，

becauseithasmanyexcellentphysicalandchemicalcharacteristics,

widelyappliedlightelectricparts,highfrequencypower，high

temperatureelectronicdevices。Thispaperexpoundstheresearch

progressandapplicationprospectsoffoundation，fromoptical

properties，electricalproperties,thermalstability，chemicalproperties,

hardnessandabrasionresistance，dopingthingsixaspectsintroducesthe

performanceofSiC。SiChashighhardnessandthermalstability，stable

structure,largeforbiddenbandwidth，highthermalconductivity,

excellentelectricalproperties.Meanwhileintroducesthepreparation

methodsofSiC：thephysicalvapordepositionandchemicalvapor

deposition,andSiCfilmcharacterizationmethods。IncludingX—ray

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diffractionspectrum，Fourierinfraredspectra,Ramanspectra，X-ray

photoelectronspectroscopy（XPS）.FinallyspokeSiCoptical

performanceandelectricalpropertiesandjoinedSiCfilmoptical

propertiesresearchprogress。

:,，

KeywordsSiC，SpurtingMinglePerformancestudy