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第３６卷第１１期激光与红外Ｖｏ１．３６．Ｎｏ．¨

２００６年１１月ＬＡＳＥＲ＆ＩＮＦＲＡＲＥＤＮｏｖｅｍｂｅｒ，２００６

第二届全国先进焦平面技术研讨会论文摘要・

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碲镉汞二极管暗电流特性拟合参数的误差分析模型

全知觉，李志锋，胡伟达，叶振华，陆卫

（中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室，上海２０００８３）

摘要：介绍了一种分析光伏型碲镉汞器件拟合参数误差的理论模型。该模型适用于任何结构的碲镉汞同质

材料形成的ｐ－ｎ结型光伏器件。本文以ｎ—ｏｎ・Ｐ型器件为例，详细完整地展示了该理论模型的推导和建立过

程。涉及的暗电流物理模型包括了扩散电流机制、产生复合电流机制、陷阱辅助隧穿机制以及带到带直接燧

穿电流机制，同时也考虑了实际器件的串联电阻效应。对真实器件拟合分析的结果表明，该模型能定量地给

出器件各拟合参数的误差范围。

少子寿命对ＨｇＣｄＴｅ双色探测器性能影响的模拟研究

徐向晏，陆卫，李志锋

（中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室，上海２０００８３）

摘要：报道了少数载流子寿命对ＨｇＣｄＴｅ中波双色红外探测器性能影响的数值计算结果。模拟计算了不同

少子寿命时双色器件的光谱响应和凡积。计算结果表明，少子寿命对双色器件性能有重要影响，长的少

子寿命使器件量子效率提高，。积增大；相反，短的少子寿命会严重降低器件量子效率和风积。因此提

高少子寿命是双色器件研制的重要内容。

Ｓｉ基外延Ⅱ一Ⅵ族材料中Ａｓ钝化作用的第一性原理研究

黄燕，陈效双，段鹤，周效好，陆卫

（中国科学院上海技术物理研究所，上海２０００８３）

摘要：文中采用基于密度泛函理论的ＣＡＳＴＥＰ软件模拟了单层及双层Ⅱ一Ⅵ族材料ＣｄＴｅ、ＺｎＴｅ在ｓｉ（２ｌ１）基

底上的生长。通过模拟比较ＣｄＴｅ、ＺｎＴｅ在清洁的和Ａｓ钝化后的ｓｉ基底上吸附的不同的稳定结构，发现Ａｓ

钝化可以较大地改善晶体生长质量，同时，Ａｓ钝化对于Ａ、Ｂ面极性的选择也起了重要的作用，这也与实验

结果一致。通过仔细分析模型结构和态密度、电荷密度等性质，初步分析原因如下：首先，Ａｓ钝化增加了表

面键长，在一定程度上降低了基底与外延层之间的晶格失配；另一方面，Ａｓ钝化饱和了表面部分悬挂键，在

削弱表面态的同时仍然保留了表面态的特性，抑制了Ａ面生长，有利于Ｂ面外延层的生长。

半导体薄膜应力的显微荧光光谱研究

周孝好

（中科院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室，上海２０００８３）

摘要：综合论述了半导体薄膜应力的研究现状，着重介绍了几种常见的薄膜应力表征手段，如激光宏观变形

法以及Ｘ射线衍射法等。在此基础上还将重点介绍显微光致发光光谱在薄膜应力研究上的应用，将为我们

研究ｓｉ基ＭＣＴ体系中应力，揭示ｓｉ基ＭＣＴ体系中出现与应力有关的破坏的机理提供了一种有效的途径。