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溅射沉积ZnO薄膜结构和光学性能研究
摘要
ZnO是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，因其优异的光学、电学性质
而得到广泛的应用，因而ZnO薄膜的制备和研究具有重要意义。
本文采用磁控溅射法制备ZnO薄膜，再以X射线衍射仪、扫描电子显微镜和
紫外-可见透射光谱仪对所沉积薄膜样本的结构和光学性能进行分析。主要研究
了工作气压、Ar/O比、溅射时间以及退火温度对ZnO薄膜样品性质的影响。
2
结果发现，随着空气退火温度上升，ZnO薄膜结晶性和择优生长特性都明显
升高，所得薄膜在可见光范围内有高光透过率，同时退火处理也提高了ZnO薄
膜致密度。磁控溅射沉积ZnO薄膜最佳参数为：工作气压可为0.5Pa，Ar/O比为
2
4:1。同时适当温度退火可改善ZnO薄膜质量。
关键词：ZnO薄膜，磁控溅射，溅射参数，退火
Abstract
ZnOisanimportantⅡ-Ⅵcompoundsemiconductormaterial,andwithits
excellentopticalandelectricalproperties,itiswidelyused.Sothepreparationand
studyofZnOthinfilmsisbecomingmoreandmoreimportant.
Inthispaper,ZnOthinfilmswerepreparedbymagnetronsputtering.Andthen
weuseX-raydiffraction,scanningelectronmicroscopyandUV-visible
film.Inthispaper,weanalyzedtheinfluenceofdepositionpressure,Ar/Oratio,
2
Theresultshowthatwiththeincreasingoftheannealingtemperature,the
filmshasahigherlighttransmittanceinthevisiblerange.Theannealingtreatment
alsoincreasedthedensityoftheZnOthinfilms.Themostsuitablemagnetron
Besides,thepropertemperatureannealingcanimprovethequalityofZnOfilms.
Keywords：ZnOfilms，Magnetronsputtering，Depositionparameters,Annealing
目录
1绪论.5
1.1ZnO的结构特点及其性质.5
1.1.1ZnO薄膜的结构特点.5
1.1.2电学性质.7
1.1.3光学性质.7
1.1.4压电性质.
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