有哪些信誉好的足球投注网站- 1、本文档共13页，可阅读全部内容。
- 2、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
ICS29.045
H80/84
团体标准
T/CASA013—2021
碳化硅晶片位错密度检测方法
KOH腐蚀结合图像识别法
MeasuringmethodfortestingthedensityofdislocationinSiCcrystal
CombinedKOHetchingandimagerecognitionmethods
2021-11-01发布2021-11-01实施
第三代半导体产业技术创新战略联盟发布
T/CASA013—2021
目次
前言III
引言IV
1范围1
2规范性引用文件1
3术语和定义1
4方法原理1
5仪器设备2
6试剂和材料2
7样品制备2
8测试环境2
9测试程序3
10结果计算5
11重复性和准确性5
12报告5
参考文献7
I
T/CASA013—2021
前言
本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本文件由北京第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）制定发布，版权归
CASAS所有，未经CASAS许可不得随意复制；其他机构采用本文件的技术内容制定标准需经CASAS
允许；任何单位或个人引用本文件的内容需指明本文件的标准号。
本文件起草单位：广州南砂晶圆半导体技术有限公司、山东大学、深圳第三代半导体研究院、广东
芯聚能半导体有限公司、中国科学院半导体研究所、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
本文件主要起草人：陈秀芳、崔潆心、于金英、胡小波、于国建、徐现刚、杨安丽、朱贤龙、魏学
成、赵璐冰。
III
T/CASA013—2021
引言
碳化硅（这里指4H-SiC）材料作为重要的第三代宽禁带半导体材料，具有高临界击穿场强、高的
热导率、高的电子饱和漂移速率、优越的机械特性和物理、化学稳定性等特点，可用于制作高温大功率
器件。近年，随着单晶和外延薄膜生长技术的不断发展，SiC单极型器件譬如肖特基二极管（SBD）及
金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）已经商业化，在不同应用领域的需求急剧增加。然而，由于材料
342
中高密度位错缺陷的存在（典型值为10-10个/cm），限制了其进一步的发展。
SiC晶体中位错主要有三种类型：螺位错（T
文档评论（0）