涂胶曝光显影一体化设备研究 .pdfVIP

电子工业专用设备

EquipmentforElectronicProductsManufacturing半导体制造工艺与设备

涂胶曝光显影一体化设备研究

袁郑如意袁周文静

吕磊112

(1.中国电子科技集团公司第四十五研究所袁北京100176曰

2.济南蓝动激光技术有限公司袁山东济南250101)

摘要院以光刻工艺为核心袁介绍了匀胶曝光显影一体化设备袁对设备的特点进行了分析袁同时对

设备的运行流程尧结构布局尧工作效率和电控及软件的实现进行了介绍袁并提出了该设备今后优

化的方向遥

关键词院光刻曰涂胶曰曝光曰显影

中图分类号院TN305文献标志码院A文章编号院1004-4507(2020)06-0031-06

TechnologyofIntegratedEquipmentofCoater

ExposureDeveloper

LVLei袁ZHENGRuyi袁ZHOUWenjing

112

(1.The45ResearchInstituteofCETC袁Beijing100176袁China曰

th

2.JinanLandongLaserTechnologyCo.袁Ltd.袁Jinan250101袁China)

Abstract:Takingthephotolithographyprocessasthecoreinthispaper，introducestheintegrated

equipmentofcoaterandexposureanddeveloper，analyzesthecharacteristicsoftheequipment，and

introducestheoperationprocess，structurallayout，workefficiencyandelectriccontrolrealizationof

theequipmentatthesametime，andputsforwardthefuturedirectionofequipmentoptimization.

Keywords:Lithography；Coater；Exposure；Developer

光刻工艺是半导体制备过程中关键的步骤之光刻工艺用到的主要设备有涂胶、曝光和显

一，其本质就是把掩模版上的电路结构复制到要影3种设备。为响应“中国制造2025”的号召，提

进行刻蚀和离子注入的基片上，光刻工艺线条分，，

高半导体生产线自动化程度减少人为干预提高

。，

辨率直接体现了芯片制造的水平生产效率提升产品性能，本文提出了一种涂胶曝

光刻工艺主要包括HMDS（六甲基二硅氮烷，光显影一体化设备的实现方式，能够满足半导体

、前烘、曝光、后烘、显信息化、数

作为增粘剂）预处理、涂胶生