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ICS31.080
L40/49
团体标准
T/CASAS016—2022
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
(SiCMOSFET)结壳热阻瞬态双界面测试方法
Transientdualtestmethodforthemeasurementofthethermal
resistancejunctiontocaseofsiliconcarbidemetal-oxide-
semiconductorfield-effect-transistor(SiCMOSFET)
版本:V01.00
2022-07-18发布2022-07-18实施
第三代半导体产业技术创新战略联盟发布
T/CASAS016—2022
目次
前言I
引言II
1范围1
2规范性引用文件1
3术语和定义1
4仪器设备2
5一般要求2
5.1检测环境要求2
5.2检测人员要求2
6测试步骤3
6.1测试原理3
6.2偏置电压测试3
6.3K线测试与标定3
6.4结壳热阻测试4
6.5测试数据处理5
7热阻结果确定6
参考文献7
I
T/CASAS016—2022
前言
本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)制定发布,版权归CASA所有,未经CASA许
可不得随意复制;其他机构采用本文件的技术内容制定标准需经CASA允许;任何单位或个人引用本文
件的内容需指明本文件的标准号。
本文件起草单位:工业和信息化部电子第五研究所、中国电子科技集团第五十五研究所、南方电网
科学研究院有限责任公司、国网智能电网研究院有限公司、西安交通大学、东南大学、山东大学、南京
航空航天大学、深圳基本半导体有限公司、东莞南方半导体科技有限公司、北京第三代半导体产业技术
创新战略联盟。
本文件起草人:付志伟、侯波、周斌、陈思、杨晓锋、陈义强、陈媛、来萍、黄云、路国光、刘奥、
郭怀新、李巍巍、李金元、李尧圣、王来利、刘斯扬、杨家跃、崔益军、唐宏浩、乔良、徐瑞鹏。
I
T/CASAS016—2022
引言
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)因具有禁带宽度宽、临界击穿电场强、耐
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