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气流场强度对直流磁控溅射ＺＡＯ薄膜性能的影响／殷胜东等・１３５・
气流场强度对直流磁控溅射ＺＡＯ薄膜性能的影响
殷胜东，马勇，靳铁良
（１重庆师范大学物理学与信息技术学院，重庆４０００４７；２平顶山学院物理学与电气信息工程学院，平顶山４６７００２）
摘要用含２Ａｌ的Ｚｎ／Ａ１合金靶材，在不同气流场强度下使用直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了
ＺＡＯ（ＺｎＯ：ＡＩ）透明导电薄膜样品。定义气流场强度等于总气流量除以总气压。结果表明：气流场强度的大小对
ＺＡＯ薄膜的表面形貌和电导率有较大影响，对可见光的透射率影响不大。在Ａｒ气压强为０．３Ｐａ，流量为２２ｓｃｃｍ，０２
气压强为０．０ＳＰａ，流量为１０ｓｃｃｍ，气流场强度约为８４ｓｃｃｍ／Ｐａ时制备ＺＡＯ薄膜的最低电阻率为４．２×１ＯＱ・ｃｍ，可
见光透射率为９Ｏ％。
关键词ＺＡＯ薄膜直流反应磁控溅射气流场强度电导率透射率
中图分类号：０４８４文献标识码：Ａ
ＥｆｆｅｃｔｏｆＣｕｒｒｅｎｔＦｉｅｌｄＩｎｔｅｎｓｉｔｙｏｎＰｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｏｆＺＡＯＴｈｉｎＦｉｌｍｓ
ＤｅｐｏｓｉｔｅｄｂｙＤＣＭａｇｎｅｔｒｏｎＳｐｕｔｔｅｒｉｎｇ
ＹＩＮＳｈｅｎｇｄｏｎｇ，ＭＡＹｏｎｇ，ＪＩＮＴｉｅｌｉａｎｇ２
（１ＳｃｈｏｏｌｏｆＰｈｙｓｉｃｓ＆ＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ＣｈｏｎｇｑｉｎｇＮｏｒｍａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｃｈｏｎｇｑｉｎｇ４０００４７；
２ＣｏｌｌｅｇｅｏｆＰｈｙｓｉｃｓ＆Ｅｌｅｃｔｒｉｃ—ＩｎｆｏｍｒａｔｉｏｎＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ。ＰｉｎｇｄｉｎｇｓｈａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｐｉｎｇｄｉｎｇｓｈａｎ４６７００２）
ＡｂｓｔｒａｃｔＺＡＯ（ＺｎＯ：Ａ１）ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅｆｉｍｌｓａｒｅｐｒｅｐａｒｅｄｂｙＩＸ；ｍａｇｎｅｔｒｏｎｒｅａｃｔｉｖｅｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇｏｆ
ａｎａｌｌｏｙｔａｒｇｅｔ（９８ｗｔＺｎ－２ｗｔＡ１）ｏｎｇｌａｓｓｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ．Ｉｎｔｈｉｓｐａｐｅｒ，ｉｓｔｄｅｆｉｎｅｄｔｈａｔｔｈｅｃｕｒｒｅｎｔｆｉｅｌｄｉｎｔｅｎｓｉｔｙｅｑｕａｌｓ
ａｌｌｇａｓｆｌｕｘｄｉｖｉｄｅｄｂｙａｌｌｇａｓｐｒｅｓｓｕｒｅ．Ｔｈｅｉｎｆｌｕｅｎｃｅｏｆｃｕｒｒｅｎｔｆｉｅｌｄｉｎｔｅｎｓｉｔｙｏｎｔｈｅｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ，ｏｐｔｉｃａｌａｎｄｅｌｅｃ—
ｔｒｉｃａｌｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＺＡＯｆｉｌｍｓｉｓｓｔｕｄｉｅｄ．Ｔｈｅｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗｔｈａｔｔｈｅｃｕｒｒｅｎｔｆｉｅｌｄｉｎｔｅｎｓｉｔｙｉｓａｄｏｍｉｎａｎｔｆａｃｔｏｒｆｏｒｖａｒｉａ—
ｂｌｅｍｉｃｒｏｓｔｒｕｅｔｕｒｅｓａｎｄｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆｔｈｅＺＡＯｔｈｉｎｆｉｌｍｓ．ＴｈｅｌｏｗｅｓｔｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙｉＳ４．２×１０Ｑ・ｃｍａｎｄｖｉｓｉ—
ｂｌｅｔｒａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅｉＳ９０ｏｎｔｈｅＣＯｎｄｉｔｉｏｎｔｈａｔｃｕｒｒｅｎｔｆｉｅｌｄｉｎｔｅｎｓｉｔｙｉｓ８４ｓｃｃｍ／Ｐａｗｈｉｃｈｒｅｓｕｌｔｓｆｒｏｍｔｈｅｓｉｔｕａｔｉｏｎｔｈａｔ
ｔｈｅｇａｓｐｒｅｓｓｕｒｅｓｏｆ０２ａｎｄＡｒａｒｅ０．０８Ｐａａｎｄ０．３Ｐａｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙ，ａｎｄ
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