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摘要
氧化钨（WO）是一种具有良好的光催化、光致变色以及电致变色等性质的
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材料，当前在光催化剂、气体传感器、智能窗等领域被广泛应用。然而WO3薄
膜的结构和性能受到制备工艺和后处理条件的影响，因此优化制备参数和控制退
火温度对提高WO3薄膜性能具有重要意义。本文采用射频磁控溅射法制备了不
同退火温度下的WO3-x(0≤x1)薄膜，并采用场发射扫描电镜(FESEM)、X射线
衍射仪(XRD)、原
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