导电薄膜的制备方法及其产品 .pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN102194541A

(43)申请公布日2011.09.21

(21)申请号CN201010124677.8

(22)申请日2010.03.06

(71)申请人富港电子(东莞)有限公司;正崴精密工业股份有限公司

地址523455广东省东莞市东坑镇工业大道

(72)发明人黄志豪

(74)专利代理机构

代理人

(51)Int.CI

H01B5/14

H01B13/00

G06F3/041

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

导电薄膜的制备方法及其产品

(57)摘要

本发明公开了一种导电薄膜的制备

方法及其产品。该导电薄膜的制备方法包

括以下步骤：A)按莫尔份量1∶1∶1比例

取正硅酸乙酯、3-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲

氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷及乙烯基

三甲氧基硅烷中的一种或两种混合物，得

到含硅的反应物；B)将步骤A)中含硅的反

应物与为上述含硅的反应物总莫尔数2倍

的水及酒精等溶剂混合，并均匀搅拌12h

以上，得到半成品涂料；C)将占总质量

3～50％的导电材料加入到半成品涂料中进

行均匀搅拌，得到涂料成品；D)将涂料以

涂布方式涂布于成膜基材上，于温度为

70～250℃的条件下加热5～60min，从而

在成膜基材表面形成连续性孔洞导电薄

膜。本发明通过导电薄膜的制备方法制备

导电薄膜，可降低产品生产成本及提高透

光度。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

A)按莫尔份量1∶1∶1比例取正硅酸乙酯、3-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷、

乙烯基三乙氧基硅烷及乙烯基三甲氧基硅烷中的一种或两种混合物，得到含硅的反

应物；

B)将步骤A)中含硅的反应物与为上述含硅的反应物总莫尔数2倍的水及酒精等溶

剂混合，并均匀搅拌12h以上，得到半成品涂料；

C)将占总质量3～50％的导电材料加入到半成品涂料中进行均匀搅拌，得到涂料成

品；

D)将涂料以涂布方式涂布于成膜基材上，于温度为70～250℃的条件下加热5～

60min，从而在成膜基材表面形成连续性孔洞导电薄膜。

2.如权利要求1所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤B)中的搅拌时

间是24h。

3.如权利要求1所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤C)中的导电材

料为银、铜、奈米碳管、石墨、导电碳黑、导电金属氧化物、导电高分子中的一种

或多种。

4.如权利要求1或3所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤C)中的导

电材料粒径不大于1000μm。

5.如权利要求1所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤D)中的涂布

方式可为旋转涂布、浸泡涂布或喷雾涂布。

6.如权利要求1或5所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤D)中的孔

洞大小范围为100-5000μm。

7.一种导电薄膜，其特征在于：采用如权利要求1～6任一项所述的导电薄膜的制

备方法所制成。

说明书

技术领域

本发明涉及一种导电薄膜技术，尤其涉及一种导电薄膜的制备方法及其产品。

背景技术

随着触控屏幕等应用的市场渗透率逐渐提升，开始大量应用于手机及计算机屏幕，

透明导电薄膜的需求也开始进入爆炸性的增长。现有使用最多的导电薄膜是以ITO

导电玻璃为主的ITO导电薄膜，近来产品的应用逐渐开始出现可挠曲性及弯折的

需求，此时以玻璃材料为基底的ITO导电薄膜便无法适用。

现有的导电薄膜的制备方法是于PET或PI高分子薄膜上涂布金属导电墨水

(ConductiveInk)，成膜后的导电薄膜不但拥有绝佳的