一种非晶薄膜晶体管及其制备方法 .pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN102290443A

(43)申请公布日2011.12.21

(21)申请号CN201110213610.6

(22)申请日2011.07.28

(71)申请人北京大学深圳研究生院

地址518055广东省深圳市南山区西丽深圳大学城北大校区

(72)发明人姚建可张盛东

(74)专利代理机构深圳鼎合诚知识产权代理有限公司

代理人郭燕

(51)Int.CI

H01L29/786

H01L29/12

H01L29/22

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种非晶薄膜晶体管及其制备方法

(57)摘要

本发明公开了一种金属氧化物薄膜

晶体管(Metaloxidethinfilmtransistor，

MOTFT)的制备工艺。首先，采用最优O

含量的有源层来提高MOTFT的EBS稳定

性。其次，采用掺Mg有源层来提高

MOTFT的UV光稳定性。最后，采用富In

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种MOTFT，其特征在于：采用O含量优化的有源层。

2.如权利要求1所述的MOTFT，其特征在于：所述有源层采用Mg掺杂。

3.如权利要求1所述的MOTFT，其特征在于：所述有源层为ZnO。

4.如权利要求1所述的MOTFT，其特征在于：所述有源层为掺Ga或Mg的

Insub2/subOsub3/sub。

5.如权利要求1所述的MOTFT，其特征在于：所述栅介质为非晶态结构的栅

介质。

6.一种MOTFT的制备方法，包括制作栅极、制作栅介质、制作有源层、制作

源漏极、制作保护层、退火，其特征在于：所述制作有源层的步骤为：

用磁控溅射(Magneticsputtering，MS)制备，制备过程不充

Osub2/sub气或从小到大增加Osub2/sub气流量，当TFT的EBS稳定性较

佳时，即为找到最佳工艺点，持续使用该最佳工艺条件制备有源层。

7.如权利要求6所述的MOTFT的制备方法，其特征在于：

所述制作有源层的步骤为：用MS工艺制备InMgZnOsubx/sub，靶材成份为

Insub2/subOsub3/sub∶MgO∶ZnO＝45∶30∶25wt％或

Insub2/subOsub3/sub∶MgO∶ZnO＝60∶15∶25wt％。

8.如权利要求6所述的MOTFT的制备方法，其特征在于：

所述制作有源层的步骤为：用MS工艺制备ZnO，基底温度TsubS/sub～

350℃，靶材为金属Zn靶；或者用脉冲激光沉积

(Pulsedlaserdeposition，PLD)工艺制备ZnO，制备条件为：

TsubS/sub～600℃，Zn靶，氧分压～10sup-3/supPa。

9.如权利要求6所述的MOTFT的制备方法，其特征在于：

所述制作有源层的步骤为：用MS工艺制备，靶材成份为

Insub2/subOsub3/sub∶Gasub2/subOsub3/sub＝

70∶30mol％，Insub2/subOsub3/sub∶MgO＝75∶25wt％或90∶10wt％。

10.如权利要求6所述的MOTFT