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项目一二三四五总分（C）良好的台阶覆盖（D）良好的填充高的深宽比比间隙的能力
半工试5、薄膜淀积结束后，需进行的质量检测项目有哪些（A、B、C、D）
造程满分100（A）膜厚（B）折射率（C）台阶覆盖率（D）均匀性
制课
期6、根据掩膜版与晶片表面的接触，光学曝光有如下哪几种曝光方式（A、B、C）
学体得分（A）投影式（B）接触式（C）接近式（D）步进式
导
半艺一、填空题（每空1分，计20分）7、下述哪些离子是等离子体（A、B、C、D）
（A）电子（B）带电离子（C）带电原子（D）带电分子
第工
年期造1、微电子器件制造用单晶材料的直径越来越大，大直径单晶的制备方法主要有直拉法和8、在热扩散工艺中，需要控制的工艺参数主要有（A、B、C）
学学制区熔法。（A）扩散时间（B）扩散温度（C）杂质源流量（D）离子能量
体9、下列哪种物质是磷扩散时的固态杂质源（D）
导2、常用的测量SiO薄膜厚度的方式有比色法和双光干涉法。（A）BBr3（B）POCl3（C）PH3（D）偏磷酸铝
2
－第半10、离子注入机中，偏束器的作用是（C）
3、在工艺中，可用热分解硅烷（SiH）进行多晶硅薄膜的淀积。
4（A）加速（B）产生离子（C）消除中性离子（D）注入扫描
4、在集成电路制造工艺中，通常采用蒸发和溅射进行铝膜的制备。11、下述哪些措施可以有效消除沟道效应（A、C、D）
（A）大剂量注入（B）降低靶温
级名号绩5、曝光前，光刻胶对于特定显影液来说是可溶的，曝光后，不能溶解于此显影液中，此光刻胶为
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