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基于COMSOL的半导体异质结器件特性仿真分析
摘要：异质结器件因独特的物理结构，获得了相较于同质结器件更加优越的物理特性。GaN材料作为宽禁带半导体材料中的典型代表，在高温高频高辐射的工作条件下仍能保持良好的稳定性。因此，本文使用COMSOL软件对不同结构的GaN基半导体异质结器件的导电特性进行模拟和对比，包括同质结结构的pn结、异质结结构的pn结、以及AlGaN/GaN异质结构成的HEMT器件，并研究改变HEMT器件的结构参数对器件性能的影响。
关键词：半导体异质结；AlGaN/GaN；HEMT；半导体器件模拟；COMSOL
绪论
1.1半导体材料发展概况
当今世界，以微电子技
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