DB52T 860-2013 5KP 系列硅瞬态电压抑制二极管详细规范.docxVIP

ICS31.080.10L41

DB52

贵州省地方标准DB52/T860—2013

5KP系列硅瞬态电压抑制二极管详细规范

Detailspecificationforsilicontransientvoltagesupprossordiodeofseries5KP

2013-12-06发布2014-02-01实施

贵州省质量技术监督局发布

I

DB52/T860—2013

目次

前言 II

1范围 1

2规范性引用文件 1

3符号和型号命名 1

4技术要求 1

5质量一致性检验 3

6标志 8

7订货资料 9

8包装、贮存和运输 9

9使用注意事项 9

附录A（规范性附录）最大箝位电压VCmax的测试方法 11

II

DB52/T860—2013

前言

本标准按GB/T1.1—2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草。请注意：本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。

本标准由贵州省机械电子产品质量监督检验院、中国振华集团永光电子有限公司提出。

本标准由贵州质量技术监督局归口。

本标准起草单位：贵州省机械电子产品质量监督检验院、中国振华集团永光电子有限公司。

本标准主要起草人：邹盛琳、江涛、唐文斌、曹珩、孟勤、章俊华、龚洪宾、李钢、杨朝辉、易晶晶。

本标准附录A是规范性附录。本标准首次发布。

1

DB52/T860—2013

5KP系列硅瞬态电压抑制二极管详细规范

1范围

本标准规定了5KP12、5KP16、5KP33、5KP51、5KP60、5KP78、5KP100、5KP180、5KP200型硅瞬态电压抑制二极管（以下简称器件）的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、贮存、运输。

本标准适用于器件的研发、生产、检验和使用。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T2423.3电工电子产品基本环境试验规程试验Ca：恒定湿热试验方法

GB/T4023半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管GB/T4589.1半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范GB/T4937半导体分立器件机械和气候试验方法

GB/T6571半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管GB/T11499半导体分立器件文字符号

GB/T12560半导体器件分立器件分规范

3符号和型号命名

3.15KP系列的型号命名由两部分组成，其含义为：

a)5KP表示瞬态功率为5000W；

b)5KP后面的阿拉伯数字表示其最大反向工作电压。

3.2有关符号含义的说明

PPR表示瞬态功率、PR表示稳态功率、IP表示脉冲峰值电流、IFSM表示浪涌电流、TOP表示工作温度、Tstg表示贮存温度、VBR表示击穿电压、IBR表示测试电流、IR1表示反向漏电流、VRWM表示反向工作电压、VC表示箝位电压、V（BR）3表示低温反向击穿电压、IZM表示稳态额定电流。

4技术要求

4.15KP系列硅瞬态电压抑制二极管采用YD2-16A型金属空腔封装，见图1。

2

DB52/T860—2013

图15KP系列硅瞬态电压抑制二极管采用YD2-16A型金属空腔封装图

说明：

1一负极；2一正极。

表1外形尺寸单位：毫米

符号

Φb?

ΦD

ΦD?

G

G?

L

L?

L?

YD2-16A

min

1.10

25.40

30.40

max

1.30

8.50

1.80

11

18.50

4.77

注：L?为引线弯曲成直角后器件安装的最小轴向长度。

4.2质量评定类别

质量评定类别：国标Ⅱ类。

4.3最大额定值和主要电特性

4.3.1最大额定值

最大额定值见表2。

表2最大额定值

参数

型号

Pm

TA=25℃

W

P

TA=25℃

W

Ip

tp=1ms

tr=10μs

A

A

Top

℃

Tstg

℃

5KP12、5KP16、5KP33、5KP51、5KP60、5KP78、5KP1