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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN102545060A
(43)申请公布日2012.07.04
(21)申请号CN201210014194.1
(22)申请日2012.01.17
(71)申请人东南大学
地址210096江苏省南京市四牌楼2号
(72)发明人徐春祥朱刚毅戴俊石增良林毅理记涛田正山
(74)专利代理机构南京苏高专利商标事务所(普通合伙)
代理人柏尚春
(51)Int.CI
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
一种微激光二极管阵列的制备方法
(57)摘要
一种微激光二极管阵列的制备方
法，首先在P型氮化镓(GaN)薄膜表面旋涂
一层p型聚合物半导体薄膜(如聚乙烯基咔
唑（PVK）、聚芴（PF）、聚对苯乙烯撑
（PPV）、聚-3烷基噻吩(P3HT)及其衍生
物等p型聚合物半导体)，然后将单根氧化
锌（ZnO）微米棒集成在p型聚合物薄膜
表面形成异质结，将透明导电薄膜（如：
氧化铟锡（ITO）、氧化锌铝（ZAO）
等）镀在透明玻璃上，然后再在透明导电
玻璃的一端镀一层金（Au）电极，然后将
其扣在表面集成有ZnO微米棒上面，然后
在透明导电玻璃和p-GaN之间注入环氧乙
酯。最后在p-GaN表面制备具有欧姆接触
的电极，构成完整的器件。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
权利要求说明书
1.一种微激光二极管阵列的制备方法，其特征在于该微激光二极管阵列为n型ZnO
微米棒/p型聚合物/p型GaN微激光二极管阵列，该制备方法
为：
第一步：将纯度均为99.99％的ZnO末和碳粉末按照质量比1∶1混合研磨，取适
量的混合物填入陶瓷舟内；将与陶瓷舟开口面积大小接近的硅
片经丙酮、无水乙醇和去离子水依次超声清洗后，用氮气冲干，
将硅片抛光面朝下覆盖与陶瓷舟上方；随后将陶瓷舟推入温度为
1000～1200℃的管式炉中，经过30～60分钟反应，ZnO微米棒阵列生长于
硅片表面；或者采用水热法来制备ZnO微米棒阵列；
第二步：将p-GaN衬底经过丙酮、无水乙醇和去离子水依次超声清洗后，用氮气
吹干，配制0.1～0.4mg/mLp型半导体聚合物的氯仿溶液，将之
旋涂于的p-GaN表面，旋涂速度在2秒钟内由静止状态加速至
设定转速2000～4000转/分钟，随后保持该转速15～25秒钟，形成厚
度为20～30纳米的p型聚合物薄膜；
第三步：从ZnO微米棒阵列中挑选单根ZnO微米棒，将之平放集成至p型聚合物
薄膜表面，该层p型聚合物薄膜将上层ZnO微米棒和下层p-
GaN有效地连接在一起形成了pn结；
第四步：透明导电玻璃经丙酮、无水乙醇和去离子水依次超声清洗后，用氮气冲干，
利用电子束蒸镀，在其表面一端镀上20～30纳米厚Au电极，
形成良好的欧姆接触，以保证高浓度的载流子注入；
第五步：将透明导电玻璃扣在集成好的ZnO微米棒阵列上的，然后在透明导电玻
璃和p-GaN之间注入透明环氧乙脂，压紧退火，退火温度为120～
150摄氏度；
第六步：用氯仿或者丙酮把p-GaN的一端
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