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郭茂田等Ⅲ元素掺杂对电子结构的影响

:AZnO

32《激光杂志》年第卷第期()

2007285LASERJOURNALVol.28.No.5.2007

Ⅲ元素掺杂对电子结构的影响

AZnO

1,222

郭茂田李丽张晓芳

中国科学院安徽物质科学研究院合肥

1.,230031;

郑州大学物理工程学院郑州

2.,450052

提要采用基于密度泛函理论的第一性原理缀加投影波赝势法分别对、掺、、、的的电子结构进行计算。与未掺杂

:,ZnOBA1GaInZnOZnO

相比Ⅲ族元素掺杂的光学带隙变宽可见光透光能力增强、费米能级进入导带导电能力提高适合作透明导电膜其中掺杂的

,AZnO,,,,GaZnO

透明性和导电性更好,最适合做透明导电膜。

关键词掺杂电子结构态密度光学带隙

:ZnO;;;;

中图分类号:TN304.2文献标识码:A文章编号:0253-2743(2007)05-0032-02

TheeffectontheelectronicsrurctureofZnObydopingⅢAelement

1,222

GUOMao-tian,LILi,ZHANGXiao-fang

1.HefeiInstitutesofPhysicalscience,ChineseAcademyofSciences,Hefei230031,China;

2.PhysicalEngineeringCollegeofZhengZhouuniversity,ZhengZhou450052,China

Abstract:ElectonicstructureofZnOdopedwithB,Al,Gahavebeendone,usingfirst

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