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维普资讯
助妨许2007年增刊(38)卷
LiF—NaF—KF熔盐中石墨基体上电沉积TiB2镀层的研究
李军,李冰2
(1.上海工程技术大学材料工程学院,上海201600;2.华东理工大学资源与环境工程学院,上海200237)
摘要:通过直流电沉积技术在LiF.NaF.KF熔盐体系比),活性组分为K2TiF6.KBF4(1:5,摩尔比)。将干
中,以K2TiF6和KBF4作为活性物质在石墨基体上制备燥后的电解质置入高纯石墨坩埚内,并将坩埚放入不锈
了晶粒细小、裂纹少、孔隙率低、表面平整和基体结合钢容器中。从室温开始升温至200℃,此温度下真空脱
良好的TiB2镀层。研究表明,当电流密度为O.4~O.8水2h。然后停止抽真空,开始通入高纯氩气,继续升
A/cm,能够得到TiB2镀层。随着电流密度的增加,浓温至700℃后稳定0.5h。当盐熔化均匀后将石墨电极放
差极化作用逐渐显著,带来的负面影响是镀层边角效应入熔盐进行电沉积实验。电流密度控制在0.1~
也逐渐明显,这使得厚度均匀性下降;但过电位的增加0.8A/cm,电镀时间为0.5h。
又会导致镀层晶粒变得更为细小,这就削弱甚至足以弥镀层形貌、组织和厚度通过JSM一6360IⅣ型扫描电
补浓差极化对镀层表面平整度造成的负面影响,结果就
镜(SEM)观察;镀层断面金相试样在BuehlerPhoenix
是平整度随电流密度增加而得以改善。综合考虑,适宜
4000型金相试样制备仪上制备。将试样用酒精和丙酮
的电流密度应控制在0.6A/cm,在该条件下,涂层由相
浸洗,经冷风吹干后用乳酸一HNO3一HF(60-20.20,V/V)
对纯净的Ti组成且表现出强的(1lO)面择优取向。
侵蚀处理,最后在金相试样表面喷一层银导电薄膜以便
涂层横截面上硬度分布范围为2986~3056HV0-l'表明
观察和分析。涂层物相在日本产RigakuD/mas2550X射
涂层比较致密均匀。
线粉末衍射仪上进行。采用Cu靶(波长=O.15406
关键词电沉积;:二硼化钛:镀层:石墨
rim),管电压40kV,管电流100mA,扫描速度2.5。/min。
中图分类号:TQ134.1l文献标识码:A
镀层断面显微硬度的测量在HXD—IO00TM显微硬度测
文章编号:1001—9731(2007)增刊一2644—05
试仪上进行,负荷200g,维持时间15s。
1引言
3结果与讨论
传统的碳阴极内衬能被熔融电解质和钠渗透,且能和
铝反应生成AhC等,最终导致阴极膨胀、破损和寿命降3.1热力学预测
低。为了取代碳阴极内衬,材料工作者不断寻找新型材料。通过热力学来预测电镀过程中发生在
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