非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法.docxVIP

GB4326—84

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202×-××-××实施202×-××-××发布非本征半导体单晶霍尔迁移率和

霍尔系数测量方法Extrinsicsemiconductorsinglecrystalsmeasurementof

HallmobilityandHallcoefficient（送审稿）（在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上）GB/T4326—202×

202×-××-××实施

202×-××-××发布

非本征半导体单晶霍尔迁移率和

霍尔系数测量方法

Extrinsicsemiconductorsinglecrystalsmeasurementof

HallmobilityandHallcoefficient

（送审稿）

（在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上）

GB/T4326—202×

代替GB/T4326-2006

中华人民共和国国家标准

ICS77.040

CCSH17

GB/T4326—200×

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GB/T4326—202×

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前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

本文件代替GB/T4326—2006《非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法》，与GB/T4326—2006相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下：

更改了范围，增加了磷化铟、锑化镓、锑化铟、硫化镉、氧化镓、碳化硅、氮化镓、高纯锗8种材料（见第1章）；

增加了规范性引用文件（见第2章）；

修改了术语和定义，GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件（见第3章）；

修改了方法原理，增加对霍尔效应的解释（见第4章）；

增加了干扰因素，将原标准中第8章部分内容整合到本章节（见第5章）；

增加了实验条件，规定实验所需的条件（见第6章）；

增加了试剂或材料，对实验所需试剂或材料进行了说明（见第7章）；

修改了仪器设备，对原标准中第5章实验所需仪器设备进行了说明（见第8章）；

增加了磷化铟、锑化镓、锑化铟、硫化镉、氧化镓、碳化硅、氮化镓、高纯锗样品的制备和腐蚀(见9.1和9.3)；

增加了磷化铟、锑化镓、锑化铟、硫化镉、氧化镓、碳化硅、氮化镓、高纯锗样品电极制备方法(见9.4）。

修改了实验步骤，对原标准中第6章内容进行了修改完善（见第10章）；

修改了实验数据处理，对原标准中第7章内容进行了修改完善（见第11章）；

修改了精密度，对原标准中第9章内容进行了修改（见第12章）。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC/2)共同提出并归口。

本文件起草单位：有研国晶辉新材料有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国电子科技集团公司第四十六研究所、晶澳太阳能光伏科技有限公司、中国科学院半导体研究所、大庆溢泰半导体材料有限公司、南京国盛电子有限公司等。

本文件主要起草人：林泉、王博、马远飞、李素青、韩庆辉、王阳、刘国龙、王宇、黄文文、莫杰、朱晨阳、刘京明、赵中阳、骆红等。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为：1984年首次发布为GB/T4326-1984，2006年第一次修订，本次为第二次修订。

GB/T4326—202×

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非本征半导体单晶霍尔迁移率和

霍尔系数测量方法

1范围

本文件规定了非本征半导体单晶材料霍尔迁移率和霍尔系数的测量方法。

本文件适用于锗、硅、砷化镓、磷化镓、磷化铟、锑化镓、锑化铟、硫化镉、氧化镓、碳化硅、氮化镓、高纯锗单晶材料霍尔迁移率和霍尔系数的测量，也适用于电阻率小于108Ω·cm其他半导体单晶材料霍尔迁移率和霍尔系数的测量。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T14264半导体材料术语

3术语和定义

GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。

4方法原理

利用霍尔效应即当固体导体放置在一个磁场内，且有电流通过时，导体内的电荷载流子受到洛伦兹力而偏向一边，继而产生电压（霍尔电压）的现象，进行霍尔系数的确定。

4.1在具有单